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GaN基NiAu肖特基接触特性研究的任务书 任务:研究GaN基NiAu肖特基接触特性 研究目的:探究GaN基NiAu肖特基接触的电学性质,为其在高功率电子器件中的应用提供基础研究支持。 研究内容: 1.制备GaN基NiAu肖特基接触样品。 2.研究NiAu肖特基接触在不同温度下的电学特性,包括电阻、电容、电子亥姆霍兹能等参数。 3.测量GaN基NiAu肖特基接触的I-V曲线特性,分析其整流和反向漏电流特性。 4.对比分析GaN基NiAu肖特基接触样品在不同表面条件下的电学特性,包括原子层沉积和化学分子修饰等处理方法。 5.探究GaN基NiAu肖特基接触的界面能量和界面内部空间电子结构,为接触电学性质提供理论支持。 6.分析氮化镓材料中的缺陷与杂质等物理性质对接触特性的影响。 7.探究GaN基NiAu肖特基接触在高温高功率应用中的可靠性和稳定性。 研究方法:激光抛光、C-V测试、I-V测试、X射线光电子能谱分析等实验方法。 预期成果:掌握GaN基NiAu肖特基接触的电学性质和界面特性,为其在高功率电子器件中的应用提供技术支持,发表学术论文1-2篇。