GaN基NiAu肖特基接触特性研究的任务书.docx
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GaN基NiAu肖特基接触特性研究的任务书任务:研究GaN基NiAu肖特基接触特性研究目的:探究GaN基NiAu肖特基接触的电学性质,为其在高功率电子器件中的应用提供基础研究支持。研究内容:1.制备GaN基NiAu肖特基接触样品。2.研究NiAu肖特基接触在不同温度下的电学特性,包括电阻、电容、电子亥姆霍兹能等参数。3.测量GaN基NiAu肖特基接触的I-V曲线特性,分析其整流和反向漏电流特性。4.对比分析GaN基NiAu肖特基接触样品在不同表面条件下的电学特性,包括原子层沉积和化学分子修饰等处理方法。5
GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告.docx
GaN基NiAu肖特基接触特性研究的中期报告中期报告:GaN基NiAu肖特基接触特性研究一、课题背景氮化镓(GaN)作为具有极大应用潜力的宽禁带半导体材料之一,广泛应用于LED、LD、功率器件和微波器件等领域。而肖特基接触则是GaN电子器件中常见的电极形式。NiAu双金属肖特基接触由于具有优异的电学性能,在GaN器件中得到广泛应用。因此,研究GaN基NiAu肖特基接触的特性对于探究GaN电子器件的性能和稳定性具有重要意义。二、课题研究进展本研究采用了制备NiAu双金属薄膜的热蒸发技术,在氮化镓上制备出Ni
GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究的中期报告.docx
GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究的中期报告该报告旨在介绍GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究情况。1.研究背景GaN材料因具有较高的载流能力、热稳定性和较高的频率响应能力而在射频电子器件、功率电子器件和光电子器件等方面得到了广泛应用。而肖特基接触则是在GaN材料上制作高性能电极的一种重要方法。然而,传统的AlGaN/GaN肖特基接触存在一些问题,如低质量因子、导致漏电流等。为了解决这些问题,新的肖特基接触结构和材料被提出并研究。2.新结构(1)基于金属/半金属混合接触的结构通过在金属/
GaN基器件欧姆接触的研究的任务书.docx
GaN基器件欧姆接触的研究的任务书任务名称:GaN基器件欧姆接触的研究任务描述:GaN材料因其优异的电学性能,在高功率和高速电子器件中具有广泛的应用前景。然而,GaN表面与金属电极接触的问题一直是制约其应用的瓶颈。为了克服这一问题,欧姆接触技术被广泛使用,但是仍然存在一些挑战和难点,例如界面反应、晶体结构匹配等。因此,本任务旨在研究GaN基器件的欧姆接触问题。任务目标:1.系统研究GaN材料与金属电极之间的欧姆接触问题,探究欧姆接触的形成机制。2.研究欧姆接触过程中GaN材料表面与金属电极之间的界面反应及
GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx
GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告本文将对GaN的制备以及GaN基肖特基器件的中期报告进行介绍。1.GaN的制备GaN是一种优良的电子材料,具有高的电子迁移率、高的热稳定性、高的能隙以及优良的光学性能等特点。目前,GaN的制备主要有以下几个方法:(1)化学气相沉积法(CVD)CVD是一种常用的制备GaN的方法,通过将氨气和三甲基镓或三甲基铝在高温下反应,从而制备出GaN薄膜。该方法可以在不同的基片上制备出GaN薄膜,如蓝宝石、石英和Si等。(2)分子束外延法(MBE)MBE是一种将纯净金属材料以分