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GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告
本文将对GaN的制备以及GaN基肖特基器件的中期报告进行介绍。
1.GaN的制备
GaN是一种优良的电子材料，具有高的电子迁移率、高的热稳定性、高的能隙以及优良的光学性能等特点。目前，GaN的制备主要有以下几个方法：
(1)化学气相沉积法(CVD)
CVD是一种常用的制备GaN的方法，通过将氨气和三甲基镓或三甲基铝在高温下反应，从而制备出GaN薄膜。该方法可以在不同的基片上制备出GaN薄膜，如蓝宝石、石英和Si等。
(2)分子束外延法(MBE)
MBE是一种将纯净金属材料以分子形式加热并蒸发的方法，通过高真空条件下的高温电子炉、磁控溅射等方法将原材料制备成单晶GaN薄膜。该方法制备的GaN薄膜具有较高的质量，适合用于制备高性能的电子器件。
(3)水热法
水热法是一种简单易行的制备GaN纳米晶的方法，适用于制备量较小的纳米晶。通过将氨水和MgO等原料在高温和高压下反应，可以制备出具有优异光学和电学性能的GaN纳米晶。
2.GaN基肖特基器件的中期报告
GaN基肖特基器件是当前研究较为热门的领域之一，其应用范围涵盖了高功率电子器件、高速电子器件和光电器件等领域。在GaN基肖特基器件的研究中，主要存在以下几个问题：
(1)制备技术不成熟
目前，制备GaN的技术尚不成熟，制备出来的GaN薄膜杂质多、缺陷多，导致GaN基肖特基器件的性能受限。
(2)绝缘层的质量问题
GaN基肖特基器件的性能与绝缘层质量密切相关。当前使用的绝缘层材料主要是氮化硅(SiN)，但其性能存在一定的问题，如介质常数较高、介电损耗大等，必须进行优化。
(3)金属电极与GaN界面问题
GaN基肖特基器件的金属电极与GaN接触处的界面问题是制约器件性能的重要因素之一。界面的电特性以及金属与GaN接触的性质都需要进一步研究和优化。
综上所述，当前GaN的制备技术仍需进一步发展，同时GaN基肖特基器件的研究也面临着一些挑战。随着技术的不断进步和发展，相信GaN基肖特基器件的性能会得到显著提升，并将得到广泛应用。