一种铜钼合金膜用蚀刻液.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107151795A(43)申请公布日2017.09.12(21)申请号201710407480.7(22)申请日2017.06.02(71)申请人苏州晶瑞化学股份有限公司地址215168江苏省苏州市吴中开发区善丰路168号(72)发明人陈浩高小云刘兵(74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103代理人汪青赖婉婷(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种铜钼合金膜用蚀刻液(57)摘要本发明涉及一种铜钼合金膜用蚀刻液，其pH为1~2，蚀刻液的组成包括占蚀刻液总质量1%~5%的过氧化氢、0.1%~10%的无机酸、0.5%~10%的硫酸盐、0.5%~15%的无机铵盐类缓冲剂、0.01%~10%的醇胺类pH调节剂、0.1%~10%的过氧化氢稳定剂、0.1%~5%的金属离子螯合剂、0.01%~5%的金属缓蚀剂，余量为去离子水。本发明蚀刻液添加少量过氧化氢，辅以金属缓蚀剂和无机酸，同时添加硫酸盐、无机铵盐类缓冲剂等物质，使得本发明蚀刻液体系在蚀刻过程中pH变化始终维持在+0.3范围内，本发明蚀刻液体系既能维持蚀刻过程中pH的稳定，又能避免pH过低导致蚀刻不均匀的现象，铜离子含量由0ppm~8000ppm过程中，蚀刻速率不变，蚀刻CD和坡度角基本不变，蚀刻无残留，满足客户的高精度加工要求。CN107151795ACN107151795A权利要求书1/1页1.一种铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的pH为1~2，所述蚀刻液的组成包括占所述蚀刻液总质量1%~5%的过氧化氢、0.1%~10%的无机酸、0.5%~10%的硫酸盐、0.5%~15%的无机铵盐类缓冲剂、0.01%~10%的醇胺类pH调节剂、0.1%~10%的过氧化氢稳定剂、0.1%~5%的金属离子螯合剂、0.01%~5%的金属缓蚀剂，余量为去离子水。2.根据权利要求1所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻液的组成包括占所述蚀刻液总质量1%~5%的过氧化氢、1%~7%的无机酸、2%~10%的硫酸盐、5%~15%的无机铵盐类缓冲剂、1%~5%的醇胺类pH调节剂、0.1%~5%的过氧化氢稳定剂、0.1%~3%的金属离子螯合剂、0.1%~2%的金属缓蚀剂，余量为去离子水。3.根据权利要求1或2所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述无机酸选自硝酸、硫酸、盐酸、磷酸、次氯酸、高锰酸中的一种或多种的组合。4.根据权利要求1所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述硫酸盐选自硫酸氢钠、硫酸钠、硫酸铵、硫酸氢铵、硫酸铜、硫酸钾、硫酸氢钾中的一种或多种的组合。5.根据权利要求1或4所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述无机铵盐类缓冲剂选自碳酸铵、碳酸氢铵、硝酸铵、磷酸铵、磷酸氢铵、磷酸二氢铵中的一种或多种的组合。6.根据权利要求1或2所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述醇胺类pH调节剂选自异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的一种或多种的组合。7.根据权利要求1或2所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述过氧化氢稳定剂选自二丙胺、二甲胺、三乙胺、异丙胺、正丁胺、正己胺、己二胺、环己胺、二乙烯三胺中的一种或多种的组合。8.根据权利要求1或2所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述金属离子螯合剂选自羟基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、亚甲基二膦酸、吡啶二羧酸、氨基三乙酸、羟基乙酸中的一种或多种的组合。9.根据权利要求1或2所述的铜钼合金膜用蚀刻液，其特征在于：所述金属缓蚀剂选自噻吩、噻唑、咪唑、吡唑、一甲基咪唑、二甲基咪唑、三甲基咪唑、甲基苯并三氮唑、四氮唑、甲基四唑中的一种或多种的组合。10.权利要求1~9中任一项权利要求所述的蚀刻液在铜钼合金膜上的蚀刻应用。2CN107151795A说明书1/6页一种铜钼合金膜用蚀刻液技术领域[0001]本发明涉及金属蚀刻液领域，特别是涉及一种铜钼合金属膜用蚀刻液。背景技术[0002]目前高世代液晶面板生产工艺中，面板尺寸大型化，栅极及金属配线使用铜合金，与以往铝合金相比，电阻降低且没有环境问题。但铜与玻璃基材及绝缘膜的贴附性较低，通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属，所以需要铜钼合金膜用蚀刻液，蚀刻膜层结构为铜/钼的合金。在蚀刻铜钼合金过程中，一般钼比铜更难蚀刻，蚀刻速率远低于铜的蚀刻速率。现有铜钼合金蚀刻液通常采用加入氟化物或者大幅提高双氧水含量。公开号为CN103890232A、CN103668208A、CN101684557A、CN102703902A等中国专利公开的铜钼合金蚀刻液中，几乎全部加入0.01％～5％质量分数的氟化物，来