一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114411151A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202210057992.6(22)申请日2022.01.19(71)申请人福建中安高新材料研究院有限公司地址350003福建省福州市鼓楼区软件大道89号福州软件园G区13号楼二层201室(72)发明人王维潘春林李自杰林秋玉(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人李珊珊(51)Int.Cl.C23F1/18(2006.01)C23F1/26(2006.01)C23F1/02(2006.01)H01L21/3213(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图2页(54)发明名称一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板(57)摘要本申请提供了一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板，该蚀刻液包括以下质量百分含量的各组分：过氧化氢：10％～30％；无机酸：5％～20％；蚀刻调节剂：0.5％～2％；水：60％～80％；其中，蚀刻调节剂包括乙二胺四丙酸和铬酸钾。该铜钼金属膜蚀刻液不仅具有良好的稳定性，并且对金属铜和金属钼具有较为均衡的蚀刻速率，采用该蚀刻液对铜钼金属膜进行蚀刻能够消除钼的残留，达到良好的蚀刻效果。CN114411151ACN114411151A权利要求书1/1页1.一种铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，包括以下质量百分含量的各组分：过氧化氢：10％～30％；无机酸：5％～20％；蚀刻调节剂：0.5％～2％；水：60％～80％；所述蚀刻调节剂包括乙二胺四丙酸和铬酸钾。2.如权利要求1所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述乙二胺四丙酸和所述铬酸钾的质量比为1：(0.1～5)。3.如权利要求1或2所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻调节剂还包括邻二氮菲。4.如权利要求3所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述乙二胺四丙酸与所述邻二氮菲的质量比为1：(0.1～2)。5.如权利要求1所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸包括硝酸、硫酸和盐酸中的一种或多种，且所述铜钼金属膜蚀刻液中的硝酸根离子与所述乙二胺四丙酸的质量比小于或等于0.01。6.如权利要求3所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述无机酸包括硝酸、硫酸和盐酸中的一种或多种，且所述铜钼金属膜蚀刻液中的硝酸根离子的质量与所述乙二胺四丙酸和所述邻二氮菲的质量之和的比值小于或等于0.01。7.如权利要求1‑6任一项所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述铜钼金属膜蚀刻液还包括质量百分含量为0.05％‑0.5％的过氧化氢稳定剂，所述过氧化氢稳定剂包括三乙醇胺、三乙撑四胺、二苯氨基脲和8‑羟基喹啉中的一种或多种。8.如权利要求1‑7任一项所述的铜钼金属膜蚀刻液，其特征在于，所述铜钼金属膜蚀刻液还包括质量百分含量为5％～18％的有机酸，所述有机酸包括草酸、酒石酸、柠檬酸和磺基水杨酸中的一种或多种。9.一种铜钼金属膜蚀刻液的应用方法，其特征在于，包括以下步骤：将如权利要求1‑8任一项所述的铜钼金属膜蚀刻液与表面设有铜钼金属膜的基板接触，以蚀刻所述铜钼金属膜。10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括金属层，所述金属层是由如权利要求9所述的铜钼金属膜蚀刻液的应用方法制得。2CN114411151A说明书1/8页一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板技术领域[0001]本申请涉及蚀刻液领域，具体涉及一种铜钼金属膜蚀刻液及其应用方法和显示面板。背景技术[0002]液晶显示装置(LCD，LiquuidCrystalDisplay)包括液晶显示面板及背光模组液晶显示面板一般包括CF(ColorFilter)基板、TFT(ThinFilmTransistor)阵列基板和液晶(LiquidCrystal)。通过向TFT阵列基板供电可控制液晶分子的方向，从而将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。TFT阵列基板中微电路的制备是先通过在基板上形成导电金属层，再在金属层上涂布光刻胶，并将微电路显影在光刻胶上，再用蚀刻液对未被光刻胶掩盖的金属层进行蚀刻以形成微电路。目前，TFT阵列基板中电子线路广泛采用铜(Cu)和钼(Mo)作为金属层，然而，现有的蚀刻液对钼和铜的蚀刻效果差异较大，钼的蚀刻速率远低于铜的蚀刻速率，导致钼残留和蚀刻不均的问题。发明内容[0003]有鉴于此，本申请提供了一种铜钼金属膜蚀刻液，该蚀刻液不仅具有良好的稳定性，并且对金属铜和金属钼具有较为均衡的蚀刻速率，采用该蚀刻液对铜钼金属膜进行蚀刻有利于减少钼的残留，达到良好的蚀刻效果。[0004]本申请第一方面提供了一种铜钼金属膜蚀刻液，包括以下质量百分含量的各组分：[0005]过氧化氢：10％～30％；[0006]无机酸：5％～20％；[0007