采用传输装置制造集成电路器件的方法.pdf
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相关资料
采用传输装置制造集成电路器件的方法.pdf
本公开提供了采用传输装置制造集成电路器件的方法。在一个实施方式中,一种传输装置包括:轨道,连接到框架;行进部件,包括沿着轨道行进的轮子和用于加载物体的加载部件;以及微粒收集容器,提供在轨道的侧部并配置为收集当轮子沿着轨道行进时由于轮子和轨道之间的摩擦产生的微粒。一种采用该传输装置制造集成电路器件的方法包括:将行进部件移动到物体;用加载部件拾取物体,从而将物体加载在加载部件上;使用行进部件以将该物体移动到腔室;以及采用该物体形成半导体器件。
制造集成电路器件的方法.pdf
公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括:在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体;通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案;和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案,所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口,所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
集成电路器件及其制造方法.pdf
本公开提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括电容器结构,其中电容器结构包括:在基板之上的底电极;在底电极的侧壁上的支撑物;在底电极和支撑物上的电介质层;以及在电介质层上并覆盖底电极的顶电极。底电极包括:基底电极层,在基板之上并在垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸;以及导电覆盖层,包括铌氮化物,在基底电极层的侧壁与电介质层之间以及在基底电极层的顶表面与电介质层之间。
集成电路器件和制造其的方法.pdf
如在此提供的一种集成电路器件可以包括器件区域和器件间隔离区域。在器件区域内,鳍式有源区域可以从基板凸出,并且鳍式有源区域的相反的侧壁可以被内隔离层覆盖。外隔离层可以填充器件间隔离区域中的外部深沟槽。内隔离层可以在外部深沟槽的内侧壁处从器件区域远离延伸进器件间隔离区域中。可以有许多鳍式有源区域和在其间的沟槽。外部深沟槽和在所述多个鳍式有源区域之间的沟槽可以具有不同的高度。在此描述的集成电路器件和制造的方法可以由于不必要的鳍式有源区域留在器件区域周围而减小可能出现各种不同的缺陷或故障的可能性。
集成电路装置以及制造集成电路装置的方法.pdf
本公开涉及集成电路装置以及制造集成电路装置的方法。将磁阻随机存取存储器单元区块以及用于磁阻随机存取存储器单元区块的磁遮蔽结构整合到集成电路装置的金属互连内。磁遮蔽结构可由具有包括磁遮蔽材料的导线以及导孔的金属化层以及导孔层提供。磁遮蔽材料可形成导线以及导孔、在导线的周围形成衬层、或可为导线的一层。导线以及导孔亦可包括较磁遮蔽材料更导电的金属。金属互连可包括在磁遮蔽结构的上方或下方的缺少磁遮蔽材料且更导电的层。具有磁遮蔽结构的磁阻随机存取存储器单元区块可选地作为独立存储器装置提供或被整合至包括具有传统金属互