承载环、磨削装置及磨削方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108349058A(43)申请公布日2018.07.31(21)申请号201680058946.0(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司720(22)申请日2016.10.0501代理人张泽洲刘林华(30)优先权数据2015-2014892015.10.09JP(51)Int.Cl.B24B7/17(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B24B7/04(2006.01)2018.04.09H01L21/304(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2016/0796592016.10.05(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/061486JA2017.04.13(71)申请人胜高股份有限公司地址日本东京都(72)发明人西村好信权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称承载环、磨削装置及磨削方法(57)摘要本发明提供一种承载环、磨削装置及磨削方法。两头磨削装置具备：具有能够支承硅晶圆(W)的支承孔(241)的圆板状的承载环(2)；以承载环(2)的中心(C1)为旋转轴来旋转该承载环(2)的旋转机构；具有磨削硅晶圆(W)的磨石的磨削轮(4)，其中，支承孔(241)形成为该支承孔(241)的中心(C2)相对于承载环(2)的中心(C1)偏心的圆形。CN108349058ACN108349058A权利要求书1/1页1.一种承载环，被使用于外形为圆形的被磨削物的磨削，并且是具有能够支承所述被磨削物的支承孔的圆板状，其特征在于，所述支承孔形成为该支承孔的中心相对于所述承载环的中心偏心的圆形。2.根据权利要求1所述的承载环，其特征在于，所述支承孔的中心相对于所述承载环的中心的偏心量为所述被磨削物的直径的1.7％以下。3.一种磨削装置，磨削外形为圆形的被磨削物，其特征在于，具备：根据权利要求1或2所述的承载环；旋转机构，以所述承载环的中心为旋转轴来旋转该承载环；及磨石，磨削所述被磨削物。4.一种磨削方法，磨削外形为圆形的被磨削物，其特征在于，具备：根据权利要求第1或2所述的承载环的支承孔支承该被磨削物，以使所述被磨削物的中心相对于所述承载环的中心偏心的工序；以所述承载环的中心为旋转轴使该承载环旋转的工序；及使用磨石来磨削所述被磨削物的工序。2CN108349058A说明书1/5页承载环、磨削装置及磨削方法技术领域[0001]本发明涉及一种承载环、磨削装置及磨削方法。背景技术[0002]使用两头磨削装置的硅晶圆的双面磨削一般会如以下的方式进行。首先，以承载环的支承孔支承硅晶圆。在支承时，为了使硅晶圆与承载环同样地进行旋转，会将硅晶圆的槽口与向支承孔内部突出的突起部卡合。又，以硅晶圆的中心与承载环的中心一致的方式来支承硅晶圆。之后，一边旋转2个磨削轮，一边将两者分别按压于硅晶圆的两面，同时供给磨削液到磨削轮内，将承载环以该承载环的中心为旋转轴来进行旋转，由此进行硅晶圆的磨削。[0003]另外，已进行双面磨削的硅晶圆中，被称为纳米形貌(Nanotopography)的正面的起伏常常会成为问题。因此，研究通过降低该奈米形貌的恶化来提高硅晶圆的平坦度的技术(例如，参考专利文献1)。另外，所谓奈米形貌是被定义为“以非吸附或弱吸附来置放硅晶圆时，厘米周期中存在的奈米范围的起伏”。[0004]专利文献1中，作为奈米形貌恶化的产生机制，记载如下。上述的双面磨削中，因为硅晶圆的槽口与承载环的突起部都各有1个，因此伴随着承载环的旋转而产生的应力集中于槽口与突起部，硅晶圆的槽口周边容易变形。若在该槽口周边变形的状态下进行双面磨削，则硅晶圆的奈米形貌会恶化。[0005]为了降低这种奈米形貌的恶化，专利文献1中公开了一种技术，与以往的突起部不同的另一突起部设置于承载环，且与以往的槽口不同地另一支承用槽口设置于硅晶圆，将各槽口与各突起部卡合来进行双面磨削，由此分散伴随承载环的旋转所带来的应力。[0006]另一方面，本发明人发现当进行硅晶圆的双面磨削时，承载环的使用刚开始不会发生奈米形貌的恶化，但当使用期间变长就变得容易发生奈米形貌的恶化，且如下推测发生这种现象的理由。磨削硅晶圆时也会磨削到突起部。若突起部的磨削量变多，则突起部向相对于硅晶圆的被磨削面垂直的方向弯曲，硅晶圆的槽口周边也向与突起部相同的方向弯曲。若在该弯曲的状态下进行双面磨削，则硅晶圆就会发生奈米形貌的恶化。因此，本发明人为了降低这种奈米形貌的恶化而采取了对策，即对承载环的使用期间设了限制，更换经过了该使用期间的承载环。现有技术文献专利文献[0007]专利文献1：日本特开2009-279704号公报[0008]然而，专利文献1记载的方法中，设置于硅晶圆的支承用槽口必须要由后