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GaN基器件欧姆接触的研究的任务书
任务名称：GaN基器件欧姆接触的研究
任务描述：
GaN材料因其优异的电学性能，在高功率和高速电子器件中具有广泛的应用前景。然而，GaN表面与金属电极接触的问题一直是制约其应用的瓶颈。为了克服这一问题，欧姆接触技术被广泛使用，但是仍然存在一些挑战和难点，例如界面反应、晶体结构匹配等。因此，本任务旨在研究GaN基器件的欧姆接触问题。
任务目标：
1.系统研究GaN材料与金属电极之间的欧姆接触问题，探究欧姆接触的形成机制。
2.研究欧姆接触过程中GaN材料表面与金属电极之间的界面反应及其对接触电阻的影响。
3.探究晶体结构对欧姆接触的影响，尝试寻找适合GaN材料的金属电极材料。
4.提出改进欧姆接触性能的措施，为GaN基器件的应用提供技术支持。
任务步骤：
1.收集和整理文献，研究GaN材料的性质和欧姆接触的基本原理。
2.设计并搭建实验平台，制备GaN基片和金属电极，研究其欧姆接触特性。
3.利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段分析欧姆接触界面结构。
4.控制材料的生长条件，研究不同生长条件下GaN材料表面的性质变化及影响欧姆接触的因素。
5.建立模型进行仿真分析，探究欧姆接触发生机制。
6.结合实验和理论分析，提出优化欧姆接触性能的方案及措施。
7.探究欧姆接触的稳定性及耐久性问题，进行长时间稳定性测试。
预期成果：
1.建立GaN基器件与金属电极欧姆接触的研究系统。
2.确定适合GaN材料的金属电极材料。
3.探究并解释欧姆接触的形成机制。
4.提出优化欧姆接触性能的方案及措施。
5.发表SCI论文1篇。