一种新型导体标识的电线电缆及其制造方法.pdf
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一种新型导体标识的电线电缆及其制造方法.pdf
本发明公开了一种新型导体标识的电线电缆,其特征在于:包括导电线芯和包覆在导电线芯上的绝缘层;所述导电线芯表面有着色标识。上述电线电缆的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:1)准备好导电线芯,将所述导电线芯放入轮式设备,对准印刷轮;2)连接标识模块,通过标识模块调整好所需印制的线型、符号、数字或图案;3)将着色物质通过标识模块、印刷轮印制在导电线芯上,形成着色标识。本发明的电线电缆在使用时,可清晰辨识芯线标识,从而快速找到相应线芯,更加方便、快捷、准确无误,还能够提高生产效率,降低成本。
一种半导体结构及其制造方法.pdf
本发明提供一种半导体结构及其制造方法,提供衬底,在衬底上生长一栅氧层,在栅氧层上形成多晶硅层;在多晶硅层上方形成具有栅极形成区域图案的光刻胶层;以光刻胶层为掩膜,利用各向同性刻蚀工艺去除部分多晶硅层,在光刻胶层与多晶硅层之间形成底切;以光刻胶层为掩膜,利用各向异性刻蚀工艺去除剩余的多晶硅层,在栅氧层上方形成左上角呈斜坡状的多晶硅栅极;形成覆盖多晶硅栅极顶部和侧面的氧化层,氧化层和裸露的栅氧层表面共同呈斜坡台阶状;在氧化层和栅氧层表面形成一介质层。本发明解决了由于多晶硅刻蚀边缘为直角导致钨刻蚀难以刻蚀干净产
一种半导体器件及其制造方法.pdf
(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031288A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310159209.1(22)申请日2023.02.15(71)申请人中国科学院微电子研究所地址100029北京市朝阳区北土城西路3号(72)发明人李永亮赵飞(74)专利代理机构北京知迪知识产权代理有限公司11628专利代理师梁佳美(51)Int.Cl.H01L29/08(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利
一种半导体器件及其制造方法.pdf
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件的电容结构包括下电极、与下电极相对的上电极和环绕下电极和上电极的栅介质。其中,电容结构位于经过至少两次刻蚀得到的沟槽内,沟槽包括具有第一宽度的沟槽上部和具有第二宽度的沟槽下部,第一宽度小于第一宽度;下电极位于沟槽下部;上电极位于沟槽上部。如此,一方面通过多次刻蚀使下电极的宽度减小,还通过缩小沟槽上部宽度的方式,使沟槽与源区以上下叠加的方式共用同一垂直空间,进一步减小沟槽和源区的宽度和,使本申请半导体实施例的单元面积更小。
一种半导体结构及其制造方法.pdf
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括:在衬底上依次设置的连接层、接触孔蚀刻停止层、层间介质层和多层掺杂层;第一凹部,设置在所述掺杂层中,且由所述第一凹部开口一侧至底壁一侧,所述第一凹部的径向长度逐渐减小;第二凹部,延伸入部分所述层间介质层中,所述第二凹部的侧壁垂直设置;第三凹部,设置在所述第二凹部底部,且所述第三凹部延伸入部分所述连接层,由所述第三凹部的开口一侧至底壁一侧,所述第三凹部的径向长度逐渐减小;以及导电结构,设置在所述第一凹部、所述第二凹部和所述第三