集成电路器件、无线通信单元及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN103155426A*(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103155426103155426A(43)申请公布日2013.06.12(21)申请号201080069623.4代理人谢晨刘光明(22)申请日2010.10.15(51)Int.Cl.H04B1/40(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H04B7/04(2006.01)2013.04.15(86)PCT申请的申请数据PCT/IB2010/0030222010.10.15(87)PCT申请的公布数据WO2012/049529EN2012.04.19(71)申请人飞思卡尔半导体公司地址美国得克萨斯(72)发明人劳伦特·戈捷(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219权权利要求书2页利要求书2页说明书9页说明书9页附图6页附图6页(54)发明名称集成电路器件、无线通信单元及其制造方法(57)摘要集成电路器件（200）包括至少一个射频（RF）收发器模块（210）。该至少一个RF收发器模块（210）包括多个低噪声放大器（LNA）（220、223、226）,在其输入（221、224、227）处可操作地耦合于集成电路器件（200）的外部接触（202、204）并且被设置为从相应的外部接触（202、204）接收RF信号、放大接收的RF信号、以及输出（222、225、228）放大的RF信号。至少一个收发器模块（210）还包括多个功率放大器（PA）模块（230、235），在其输出（231、236）处可操作地耦合于集成电路器件的外部接触（202、204），并且被设置为在其输入（232、237）处接收将被传输的RF信号、放大将被传输的接收的RF信号、以及输出（231、236）放大的信号。多个LNA（220、223、226）和多个PA（230、235）选择性地可配置为以至少一个第一、多天线配置和第二、单一天线高传输功率配置操作。CN103155426ACN1035426ACN103155426A权利要求书1/2页1.一种集成电路器件（200），包括至少一个射频（RF）收发器模块（210）；所述至少一个RF收发器模块（210）包括：多个低噪声放大器（LNA）（220、223、226），具有操作地耦合于所述集成电路器件（200）的至少一个外部接触（202、204）的相应的输入端口（221、224、227）并且被设置为从所述至少一个外部接触（202、204）接收第一RF信号以及输出（222、225、228）放大的接收的第一RF信号；以及多个功率放大器（PA）（230、235），具有操作地耦合于所述集成电路器件（200）的所述至少一个外部接触（202、204）的相应的输出端口（231、236），并且被设置为在相应的功率放大器输入端口（232、237）处接收第二RF信号以及输出（231、236）将被传输的放大的第二RF信号；其中所述多个LNA（220、223、226）和所述多个PA（230、235）选择性地可配置为以至少第一、多天线配置和第二、单一天线高传输功率配置操作。2.根据权利要求1所述的集成电路器件（200），其中所述多个LNA（220、223、226）和所述多个PA（230、235）选择性地可配置为以从以下构成的组中的至少之一进行操作：多天线收发器配置；单一天线、高传输功率收发器配置；单一天线、低传输功率收发器配置。3.根据权利要求1或2所述的集成电路器件（200），其中，当被配置为以所述第一、多天线配置操作的时候，所述RF收发器模块（210）包括：第一LNA（220），在其输入（221）处操作地耦合于所述集成电路器件（200）的第一外部接触（202），并且选择性地可配置为从所述第一外部接触（202）接收所述第一RF信号以及输出（222）放大的第一RF信号；以及第二LNA（223），在其输入（224）处操作地耦合于所述集成电路器件（200）的第二外部接触（204），并且选择性地可配置为从所述第二外部接触（204）接收所述第一RF信号以及输出（225）放大的第一RF信号。4.根据任何前述权利要求所述的集成电路器件（200），其中，当被配置为以所述第一、多天线配置操作的时候，所述RF收发器模块（210）包括：第一PA（230），在其输出（231）处操作地耦合于所述集成电路器件（200）的所述第一外部接触（202），并且选择性地可配置为在其输入（232）处接收将被传输的所述第二RF信号以及输出（231）将被传输的放大的第二RF信号到所述第一外部接触（202）；以及第二PA（235），在其输出（236）处操作地耦合于所述集成电路器件（200）的所述第二外部接触（204），并且选择性地可配置为在其输入