掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109402559A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201811338966.0(22)申请日2018.11.12(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人北京京东方显示技术有限公司(72)发明人曲连杰(74)专利代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138代理人杨广宇(51)Int.Cl.C23C14/04(2006.01)C23C14/24(2006.01)H01L51/00(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图6页(54)发明名称掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置(57)摘要本申请公开一种掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置，属于蒸镀技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形由多个光刻胶结构构成，光刻胶结构的轮廓呈喇叭形，具有远离衬底基板的第一表面和靠近衬底基板的第二表面，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸；在形成第一光刻胶图形的衬底基板上形成金属层，金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，凹陷区域为金属层上除凸起区域之外的区域；在凹陷区域中形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形在金属层上的正投影与凹陷区域重合；去除金属层未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板和第一光刻胶图形得到掩膜版。本申请提高了掩膜版的精度。CN109402559ACN109402559A权利要求书1/2页1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形由阵列排布的多个光刻胶结构构成，每个光刻胶结构的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构具有远离所述衬底基板的第一表面和靠近所述衬底基板的第二表面，所述第一表面的尺寸小于所述第二表面的尺寸；在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，所述金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，所述多个凸起区域与所述多个光刻胶结构一一对应，所述凹陷区域为所述金属层上除所述凸起区域之外的区域；在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形在所述金属层上的正投影与所述凹陷区域重合；去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，得到掩膜版，所述掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，包括：通过喷墨打印工艺或涂覆工艺在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层之前，所述方法还包括：在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的导电粘附层；所述在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，包括：通过电铸工艺在形成有所述导电粘附层的衬底基板形成覆盖所述导电粘附层的金属层；在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形之后，所述方法还包括：去除所述导电粘附层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔为第一子蒸镀孔和第二子蒸镀孔，所述去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，包括：通过湿法刻蚀工艺去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域，以在所述金属层上形成第一子蒸镀孔层，所述第一子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第一子蒸镀孔；通过光刻胶剥离工艺去除所述第二光刻胶图形；剥离所述衬底基板；通过光刻胶剥离工艺去除所述第一光刻胶图形，以在所述金属层上形成第二子蒸镀孔层，所述第二子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第二子蒸镀孔。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除所述导电粘附层，包括：2CN109402559A权利要求书2/2页在去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域之后，且去除所述第二光刻胶图形之前，通过湿法刻蚀工艺去除所述导电粘附层上未被所述金属层覆盖的区域；在去除所述第一光刻胶图形之后，通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电粘附层的形成材料为金属银和金属钼中的至少一种。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述金属层的厚度的取值范围为5微米～50微米，所述第一光刻胶图形的