基板抛光系统和基板抛光控制方法.pdf
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相关资料
基板抛光系统和基板抛光控制方法.pdf
本发明实施例提供一种基板抛光系统和基板抛光控制方法,其中,所述基板抛光系统包括主控设备、变频器、抛光装置,所述抛光装置包括旋转电机、第一伺服电机、第二伺服电机、第一引动器、第二引动器和抛光轮;所述变频器与所述主控设备和所述旋转电机分别连接,所述旋转电机的输出轴与所述抛光轮连接,所述主控设备还与所述第一伺服电机和所述第二伺服电机分别连接,所述第一引动器与所述第一伺服电机的连接,所述第二引动器与所述第二伺服电机连接,所述第一引动器的固定背板与所述第二引动器的活动背板固定连接,所述旋转电机安装于所述第二引动器。
具有基板进动的基板抛光的工艺参数的控制.pdf
生成用于抛光工艺的配方,包括:接收目标移除曲线,所述目标移除曲线包括针对围绕基板中心成角度地间隔开的位置的要移除的目标厚度;存储提供随时间变化的相对于承载头的基板方向的第一函数;存储将所述区域中的区域下方的抛光速率定义为因变于承载头的一个或多个区域的一个或多个压强的第二函数;以及对于所述多个区域中的每个特定区域,计算定义该特定区域的随时间变化的压强的配方。计算所述配方包括:从定义抛光速率的第二函数和提供随时间变化的相对于该区域的基板方向的第一函数来计算抛光后的预期厚度曲线;以及应用最小化算法以减小预期厚度
化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法.pdf
本发明提供化学机械抛光用浆料和使用该浆料的基板的抛光方法,所述化学机械抛光用浆料包含水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d),其中,水溶性包合化合物(a)的含量是浆料总量的0.001质量%-3质量%,高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量,并且高分子化合物(b)的含量是浆料总量的0.12质量%-3质量%。
N-Si基板的抛光工艺.pdf
本发明公开了N‑Si基板的抛光工艺,包括如下步骤:A、粗抛光;B、精抛光;C、化学机械抛光;D、对N‑Si基板进行进行切割;E、将基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中;F、将基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中;G、将N‑Si基板放置于装有去离子水的烧杯中;H、检查基板表面是否有残留物;I、使用氮气将基板表面吹干,放置烤箱中烘烤10分钟,即完成抛光工艺。本发明中,采用PH为9.5,浓度为15%,粒径为30nm的硅溶液,以H
基板输送系统的控制方法和基板输送系统.pdf
提供一种提高输送精度的基板输送系统的控制方法和基板输送系统。一种基板输送系统的控制方法,基板输送系统包括:输送机构,其具有保持基板的保持部,输送机构用于输送基板;以及测量部,其对由输送机构输送的基板的外缘进行检测,并对基板的中心位置进行测量,基板输送系统将基板向目标位置输送,其中,基于保持部的基准位置和由测量部测量到的基板的中心位置之间的偏移量、利用测量部对基板的外缘进行检测的测量位置处的输送机构的由热膨胀所引起的保持部的基准位置的热位移量、以及输送基板的目标位置处的输送机构的由热膨胀所引起的保持部的基准