化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102666760A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102666760A(43)申请公布日2012.09.12(21)申请号201080051174.0(51)Int.Cl.(22)申请日2010.11.08C09G1/02(2006.01)C09K3/14(2006.01)(30)优先权数据H01L21/3105(2006.01)2009-2584442009.11.11JP(85)PCT申请进入国家阶段日2012.05.11(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0698512010.11.08(87)PCT申请的公布数据WO2011/058952JA2011.05.19(71)申请人可乐丽股份有限公司地址日本冈山县仓敷市酒津１６２１番地(72)发明人竹越穣加藤充冈本知大加藤晋哉(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001代理人高旭轶郭文洁权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书1818页页附图附图33页(54)发明名称化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法(57)摘要本发明提供化学机械抛光用浆料和使用该浆料的基板的抛光方法，所述化学机械抛光用浆料包含水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)，其中，水溶性包合化合物(a)的含量是浆料总量的0.001质量%-3质量%，高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量，并且高分子化合物(b)的含量是浆料总量的0.12质量%-3质量%。CN10267ACN102666760A权利要求书1/1页1.化学机械抛光用浆料，其包含：水溶性包合化合物(a)、具有任选为盐形式的酸性基团作为侧链的高分子化合物(b)、抛光研磨粒料(c)和水(d)，其中相对于浆料的总量，含有0.001质量%-3质量%的水溶性包合化合物(a)，高分子化合物(b)具有1,000以上且小于1,000,000的重均分子量，并且相对于浆料的总量，含有0.12质量%-3质量%。2.根据权利要求1的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)具有200-1,000,000的重均分子量。3.根据权利要求1或2的浆料，其中，水溶性包合化合物(a)是选自由环状低聚糖及其衍生物构成的组中的一种或多种。4.根据权利要求3的浆料，其中，环状低聚糖及其衍生物是α-环糊精、β-环糊精、γ-环糊精和它们的衍生物。5.根据权利要求1-4中任何一项的浆料，其中，高分子化合物(b)具有任选呈现盐形式的羧基。6.根据权利要求5的浆料，其中，高分子化合物(b)包含聚合物(b-1)，该聚合物(b-1)在该聚合物中以25质量%以上的单元量包含(甲基)丙烯酸和/或其盐。7.根据权利要求6的浆料，其中，高分子化合物(b)是选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸铵盐、聚丙烯酸胺盐、聚甲基丙烯酸、聚甲基丙烯酸铵盐和聚甲基丙烯酸胺盐构成的组中的一种或多种。8.根据权利要求1-7中任何一项的浆料，其中，抛光研磨粒料(c)是具有0.5nm-1,000nm的平均粒径的无机氧化物颗粒。9.根据权利要求8的浆料，其中，无机氧化物颗粒是选自由氧化铝、二氧化铈、蒸汽沉积二氧化硅、胶态硅石、氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锗、氧化镁和氧化锰构成的组中的一种或多种颗粒。10.根据权利要求1-9中任何一项的浆料，其具有pH3-12.5。11.抛光基板的方法，其包括在基板和抛光垫片之间供给根据权利要求1-10中任何一项的化学机械抛光用浆料的同时，使基板和抛光垫片相对运动以便对基板上的待抛光的膜进行抛光。12.根据权利要求11的方法，其中，基板上的待抛光的膜是氧化硅膜和/或氮化硅膜。2CN102666760A说明书1/18页化学机械抛光用浆料以及使用其的基板的抛光方法技术领域[0001]本发明涉及优选用于制造半导体基板的化学机械抛光用浆料，以及使用该浆料的基板的抛光方法。背景技术[0002]通过构成电路的晶体管、电阻、布线等的微型化所实现的高密度化和高速响应而使半导体电路显示出高性能。另外，布线的层合可实现半导体电路的更高致密化和更高程度集成。是上述成为可能的半导体制造技术包括浅沟槽隔离、金属塞和镶嵌工艺。“浅沟槽隔离”是指晶体管元件隔离，“金属塞”是指使用具有贯穿层间绝缘膜的结构的金属进行的三维布线，并且“镶嵌工艺”是指铜布线的嵌入技术。对于如浅沟槽隔离等的各步骤不可缺少的技术是化学机械抛光。化学机械抛光(以下有时简写为“CMP”)常用于浅沟槽隔离、镶嵌工艺、层间绝缘层形成和金属塞嵌入的各步骤。这些精细图案是通过由照相平版印刷步骤形成的抗蚀剂掩模的转印所形成的。随着微型化进行，用于平版印刷术的投影透镜的焦点的深度会变浅，并且因为基板上的凹凸需要