N-Si基板的抛光工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111531412A(43)申请公布日2020.08.14(21)申请号202010381709.6(22)申请日2020.05.08(71)申请人福建省南安市宏炜新材料有限公司地址362300福建省泉州市南安市罗东镇新雨亭东街(72)发明人黄安基黄荣厦(74)专利代理机构温州联赢知识产权代理事务所(普通合伙)33361代理人吴娇(51)Int.Cl.B24B1/00(2006.01)B08B3/12(2006.01)H05K3/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称N-Si基板的抛光工艺(57)摘要本发明公开了N-Si基板的抛光工艺，包括如下步骤：A、粗抛光；B、精抛光；C、化学机械抛光；D、对N-Si基板进行进行切割；E、将基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中；F、将基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中；G、将N-Si基板放置于装有去离子水的烧杯中；H、检查基板表面是否有残留物；I、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，即完成抛光工艺。本发明中，采用PH为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以H2O2和硅溶液比为1:10的比例范围加入H2O2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm，抛光时间在1.2小时，实现对于基板的进一步精准抛光，增加抛光的平滑度。CN111531412ACN111531412A权利要求书1/1页1.N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、粗抛光：采用PH值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2，抛光盘转速为80rpm；B、精抛光：采用PH值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为70rpm；C、化学机械抛光：采用PH为9.5，浓度为15％，粒径为30nm的硅溶液，以H2O2和硅溶液比为1:10的比例范围加入H2O2，进行混合搅拌得到的溶液作为抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为60rpm；D、对N-Si基板进行进行切割；E、将切割后的N-Si基板放置于装有丙酮溶液的烧杯中，通过超声波振荡器清洗15-20分钟；F、清洗完成后将N-Si基板放置于装有甲醇溶液的烧杯中，利用超声波振荡器清洗15-20分钟；G、完成清洗后将N-Si基板放置于装有去离子水的烧杯中；H、完成操作后，检查基板表面是否有残留物，有则重复E-G步骤操作；I、使用氮气将基板表面吹干，放置烤箱中烘烤10分钟，即完成抛光工艺。2.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述步骤A-C中均采用抛光布辅助进行。3.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述粗抛光时间在10分钟-30分钟，精抛光时间在30分钟-1小时，化学机械抛光时间在1小时-1.5小时。4.根据权利要求1所述的N-Si基板的抛光工艺，其特征在于，所述步骤D中基板切割大小根据需要进行选择。2CN111531412A说明书1/3页N-Si基板的抛光工艺技术领域[0001]本发明涉及基板抛光技术领域，尤其涉及N-Si基板的抛光工艺。背景技术[0002]基板是制造PCB的基本材料，一般情况下，基板就是覆铜箔层压板，单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。[0003]现有的N-Si基板抛光工艺大多只进行粗抛和精抛，导致基板的抛光程度存在达不到要求的可能性，并且现有的基板抛光工艺在抛光完成后大多只经过简单处理，导致其表面可能残留废渣和氧化物，从而降低了其质量。发明内容[0004]本发明的目的在于：为了解决现有基板抛光工艺不够完善及其表面氧化物灯不能进行很好的处理，影响质量的问题，而提出的N-Si基板的抛光工艺。[0005]为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：[0006]N-Si基板的抛光工艺，包括如下步骤：[0007]A、粗抛光：采用PH值为7、浓度为20％，粒径为5μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光压力为2g/cm2，抛光盘转速为80rpm；[0008]B、精抛光：采用PH值为7，浓度为20％，粒径为2μm的氧化铝抛光液进行抛光，控制抛光机的压力为2g/cm2，抛光盘转速为70rpm；[0009]C、化学机械