电子器件内置模块及其制造方法.pdf

2024-09-12

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电子器件及其制造方法.pdf

本发明提供了一种电子器件及其制造方法,本发明将牺牲阳极设置于焊盘之下,并具有延伸到器件边缘,可以避免牺牲阳极对焊盘的热处理时影响,并且该牺牲阳极可以保护焊盘之上的AlSi层,防止其被氧化。AlSi层的设置可以增加线接合球的润湿性,保证其可焊性,且优选的,所述AlSi层中具有N掺杂,其可以保证Al不被氧化。

2023-05-25

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有机电子器件及其制造方法.pdf

本发明提供了一种制造工艺容易同时可以实现长寿命的有机电子器件。本发明提供了有机电子器件及其制造方法，所述有机电子器件是在基板上具有相对的2个以上电极和配置在2个电极之间并至少包括空穴注入层和/或空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，其特征在于，所述空穴注入层和/或空穴传输层含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇，是将作为多金属氧酸盐的金属氧化物簇溶解或者均匀地分散或混合在水性溶剂中而得的流动性材料呈薄膜状形成的。

2023-06-14

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电子器件用外延衬底及其制造方法.pdf

一种电子器件用外延衬底及其制造方法，可以改善导电性SiC单晶衬底上的III族氮化物电子器件的纵方向耐电压。该电子器件用外延衬底包括：导电性SiC单晶衬底；形成在SiC单晶衬底上并用作绝缘层的缓冲层；以及通过在缓冲层上外延生长多个III族氮化物层所形成的主层叠体，其中，横方向是电流流动方向。该外延衬底的特征在于：缓冲层包括与SiC单晶衬底相接触的初始生长层、以及形成在初始生长层上并具有超晶格多层结构的超晶格层叠体，初始生长层由Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1、0＜b1≤1、0≤c1≤1、0≤d

2023-06-14

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散热模块及其制造方法.pdf

本发明关于一种散热模块及其制造方法，此散热模块包括一热管、数个散热鳍片及数个环圈，热管具有一外环壁；每一散热鳍片设有一穿孔及具有形成在穿孔外周缘的一环墙，数个散热鳍片通过各穿孔以间隔叠置方式套设于热管；各环圈以迫紧方式套接于各环墙，以令各环墙嵌入且束紧于外环壁。借此，以达到散热模块具有优良的散热效率与结构强度。

2024-01-08

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