电子器件及其制造方法.pdf
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相关资料
电子器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种电子器件及其制造方法,本发明将牺牲阳极设置于焊盘之下,并具有延伸到器件边缘,可以避免牺牲阳极对焊盘的热处理时影响,并且该牺牲阳极可以保护焊盘之上的AlSi层,防止其被氧化。AlSi层的设置可以增加线接合球的润湿性,保证其可焊性,且优选的,所述AlSi层中具有N掺杂,其可以保证Al不被氧化。
有机电子器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种制造工艺容易同时可以实现长寿命的有机电子器件。本发明提供了有机电子器件及其制造方法,所述有机电子器件是在基板上具有相对的2个以上电极和配置在2个电极之间并至少包括空穴注入层和/或空穴传输层的有机功能层的有机电子器件,其特征在于,所述空穴注入层和/或空穴传输层含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8~10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇,是将作为多金属氧酸盐的金属氧化物簇溶解或者均匀地分散或混合在水性溶剂中而得的流动性材料呈薄膜状形成的。
电子器件用外延衬底及其制造方法.pdf
一种电子器件用外延衬底及其制造方法,可以改善导电性SiC单晶衬底上的III族氮化物电子器件的纵方向耐电压。该电子器件用外延衬底包括:导电性SiC单晶衬底;形成在SiC单晶衬底上并用作绝缘层的缓冲层;以及通过在缓冲层上外延生长多个III族氮化物层所形成的主层叠体,其中,横方向是电流流动方向。该外延衬底的特征在于:缓冲层包括与SiC单晶衬底相接触的初始生长层、以及形成在初始生长层上并具有超晶格多层结构的超晶格层叠体,初始生长层由Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≤a1≤1、0<b1≤1、0≤c1≤1、0≤d
电子器件的制造方法.pdf
本发明提供电子器件的制造方法,能够实现低成本化。电子器件的制造方法包括:准备工序,准备安装有所述第一电子部件且接合有引线的基板;以及模塑工序,在将帽配置于基板的状态下载置于模塑模具,通过向模塑模具内填充模塑材料来形成模塑部。模塑模具具有:第一模具,其具备载置帽的帽载置部;以及第二模具,其具有按压引线使其弹性变形的引线按压部,在模塑工序中具有如下步骤:将帽载置于帽载置部;将基板载置于帽上;利用引线按压部对引线进行按压使其弹性变形,利用引线产生的复原力对基板向帽侧施力;以及向模塑模具内填充模塑材料。
具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法.pdf
一种具有控制引脚的电子器件的制造方法及其缺陷检测方法,在电子器件制造的生产线程中,封装时先进行控制引脚的缺陷检测,当检测完成后再对芯片进行封装,这样可以进一步的保障电子器件的良率。在检测时利用PN结与金属连接之后呈现出的正温度系数特性的原理进行检测,过程中可以利用温度补偿的方式提高导通阻抗的明显度,再通过测得导通阻抗的方式来判断控制引脚中是否存在缺陷,以对每一件芯片都能高效率的达到检测目的。