有机电子器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102460765A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102460765A(43)申请公布日2012.05.16(21)申请号201080026822.7(51)Int.Cl.(22)申请日2010.06.18H01L51/50(2006.01)H01L29/786(2006.01)(30)优先权数据H01L51/05(2006.01)2009-1459492009.06.19JPH01L51/30(2006.01)2010-1360612010.06.15JPH01L51/42(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日H05B33/10(2006.01)2011.12.15(86)PCT申请的申请数据PCT/JP2010/0603452010.06.18(87)PCT申请的公布数据WO2010/147205JA2010.12.23(71)申请人大日本印刷株式会社地址日本东京都(72)发明人上野滋弘冈田政人小向款麻生真人松桥岳池田和成(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人钟晶於毓桢权利要求书权利要求书2页2页说明书说明书3737页页附图附图22页(54)发明名称有机电子器件及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种制造工艺容易同时可以实现长寿命的有机电子器件。本发明提供了有机电子器件及其制造方法，所述有机电子器件是在基板上具有相对的2个以上电极和配置在2个电极之间并至少包括空穴注入层和/或空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，其特征在于，所述空穴注入层和/或空穴传输层含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇，是将作为多金属氧酸盐的金属氧化物簇溶解或者均匀地分散或混合在水性溶剂中而得的流动性材料呈薄膜状形成的。CN1024675ACN102460765A权利要求书1/2页1.一种有机电子器件，是在基板上具有相对的2个以上电极、以及配置在电极之间的包括空穴注入层或/和空穴传输层的有机功能层的有机电子器件，其特征在于，至少包括空穴注入层，空穴注入层是含有包含选自元素周期表的第5族、第6族或第8～10族中的至少1种金属元素的金属氧化物簇的层，所述金属氧化物簇为多金属氧酸盐。2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为混合原子价多金属氧酸盐。3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其特征在于，作为配置在2个电极之间的层，还包括空穴传输层。4.根据权利要求1～3的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将含有金属氧化物簇的流动性材料形成薄膜得到的含有金属氧化物簇的层。5.根据权利要求1～4的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将包含含有金属氧化物簇的水性介质的流动性材料形成薄膜得到的含有金属氧化物簇的层。6.根据权利要求1～5的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和空穴注入和/或传输性材料。7.根据权利要求1～6的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物。8.根据权利要求1～7的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物或/和噻吩化合物或/和苯胺化合物。9.根据权利要求1～8的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层是将包含含有金属氧化物簇和作为空穴注入和/或传输性材料的芳香族胺系化合物的水或醇系介质的涂布用油墨形成薄膜得到的含有所述金属氧化物簇的层。10.根据权利要求1～9的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为化学合成的阴离子分子，1分子的结构为10nm以下。11.根据权利要求1～10的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇包含选自钼(Mo)、钨(W)、钒(V)或铁(F)中的至少1种金属元素。12.根据权利要求1～11的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，金属氧化物簇为至少包含Mo的氧化物簇，为{Mo132}、{Mo142}、{Mo146}、{Mo154}、{Mo176}、{Mo248}、{Mo368}。13.根据权利要求1～12的任一项所述的有机电子器件，其特征在于，至少1个空穴注入层或/和空穴传输层含有式I所示的芳香族胺化合物：N，N-双[4’-(羟基)[1，1’-联苯]-4-基]-N-苯胺作为空穴注入和/或传输性材料。14.根据权利要求1～13的任一项所述的有机电子器件，有机电子器件是包括发光层作为有机功能层的有