钽材高真空退火炉.pdf
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钽材高真空退火炉.pdf
万方数据钽材高真空退火炉蒸发,以及提高表面光亮度和机械性能的作用。在高真空中加热难熔金属是使其表面氧化物产生蒸发、除气李世珍(兰州真空设备有限责任公司,甘肃兰州真空退火是最早在工业上得到应用的真空热处理工艺。对金属材料及零件进行真空退火,除了要达到改变晶粒结构、细化组织、消除应力和软化材料等一般的目的以外,还可以达到防止氧化、除气、脱脂、使氧化物及提高朔性的有效方法。第VB族元素钽属于难熔金属,已广泛地用于尖端工业中。其中在电子工业中可用于制造钽电容器和发射管电极等;在高真空电阻炉中可作为加热元件、隔热屏
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。
溅射钽靶材用高纯钽粉工艺研究.docx
溅射钽靶材用高纯钽粉工艺研究摘要在溅射镀膜技术中,钽靶材是非常重要的材料。高纯度的钽粉是制备高品质钽靶材的基础。本研究首先对高纯度钽粉的制备方法进行了探讨,并研究了影响钽靶材制备工艺的因素。通过实验,我们得出了高纯钽粉制备方法和钽靶材制备工艺的最优条件。结果表明,通过优化制备工艺可以制备出优质的钽靶材,达到了预期的溅射效果。关键词:钽靶材,高纯钽粉,溅射镀膜,制备工艺引言钽靶材是制备集成电路(IC)和薄膜电晕(TFD)中的用途广泛的材料之一。随着半导体工业的飞速发展,对钽靶材的需求量不断增加。因此,研究高
一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法.pdf
本发明涉及一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法,属于粉末冶金技术领域,所述制备方法包括原料粉的制备、混粉和靶材的真空热压烧结,具体包括如下步骤:将高纯钽和钌块体分别破碎成炉中进行真空热压烧结,烧结结束后得高纯钽钌合金靶材的坯体;然后按照磁控溅射镀膜设备要求,对坯体进行加工,得到高纯钽钌合金靶材。采用本发明的制备方法,可显著降低传统铸造法制备难熔合金靶材的技术难度,大大提高了材料组织和性能的可控性,有助于显著改善后期的镀膜性能。
高纯钽溅射靶材制备工艺进展.docx
高纯钽溅射靶材制备工艺进展一、引言高纯钽溅射靶材在半导体、光电子、电子工业等领域中具有非常广泛的应用,其制备技术对于相关领域的发展具有至关重要的作用。目前,随着科技的发展,人们对高性能、高质量的钽溅射靶材的需求越来越高,因此如何提高高纯钽溅射靶材的质量和性能成为当前研究的重点。二、高纯钽溅射靶材制备工艺1.溅射工艺钽溅射工艺是一种利用惯性碰撞的方法,利用惯性神经元的原理,用高速的离子束或电子束轰击钽靶材,使其向表面释放钽的过程。利用离子束、电子束、激光束等不同形式的能量源进行钽溅射。2.靶材制备钽靶材的制