高纯钽溅射靶材制备工艺进展.docx
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高纯钽溅射靶材制备工艺进展.docx
高纯钽溅射靶材制备工艺进展一、引言高纯钽溅射靶材在半导体、光电子、电子工业等领域中具有非常广泛的应用,其制备技术对于相关领域的发展具有至关重要的作用。目前,随着科技的发展,人们对高性能、高质量的钽溅射靶材的需求越来越高,因此如何提高高纯钽溅射靶材的质量和性能成为当前研究的重点。二、高纯钽溅射靶材制备工艺1.溅射工艺钽溅射工艺是一种利用惯性碰撞的方法,利用惯性神经元的原理,用高速的离子束或电子束轰击钽靶材,使其向表面释放钽的过程。利用离子束、电子束、激光束等不同形式的能量源进行钽溅射。2.靶材制备钽靶材的制
高纯钽靶材制备方法.pdf
本发明提供的高纯钽靶材制备方法,包括:将钽粉混合均匀;将混合好的钽粉装入模具;冷压成型;真空热压烧结。与传统的通过高真空电子束熔炼炉获得高纯钽锭、然后对钽锭反复进行塑性变形和退火制得钽靶坯的工艺相比,本发明通过粉末冶金的真空热压烧结技术直接由粉末制得钽靶坯,消除钽的“固有织构带”,获得内部织构均匀的可用于半导体靶材制造用的钽靶坯。
高纯钽溅射靶材再结晶微观组织与织构研究.docx
高纯钽溅射靶材再结晶微观组织与织构研究摘要:本文通过对高纯钽溅射靶材的研究,探究了靶材的再结晶微观组织和织构。采用金相显微镜和透射电镜技术分析了高纯钽靶材的再结晶晶粒大小、晶界分布和织构特征,并研究了其再结晶过程中晶粒生长的机理和影响因素。结果表明,高温加热处理可以促进钽靶材的再结晶,同时晶粒生长受晶界能量和晶核密度的影响,且靶材厚度不同对晶粒生长的影响也不同。此外,靶材再结晶过程中出现了明显的织构特征,主要表现为(110)织构和轻微的(111)和(100)织构。Abstract:Thisstudyexp
溅射钽靶材用高纯钽粉工艺研究.docx
溅射钽靶材用高纯钽粉工艺研究摘要在溅射镀膜技术中,钽靶材是非常重要的材料。高纯度的钽粉是制备高品质钽靶材的基础。本研究首先对高纯度钽粉的制备方法进行了探讨,并研究了影响钽靶材制备工艺的因素。通过实验,我们得出了高纯钽粉制备方法和钽靶材制备工艺的最优条件。结果表明,通过优化制备工艺可以制备出优质的钽靶材,达到了预期的溅射效果。关键词:钽靶材,高纯钽粉,溅射镀膜,制备工艺引言钽靶材是制备集成电路(IC)和薄膜电晕(TFD)中的用途广泛的材料之一。随着半导体工业的飞速发展,对钽靶材的需求量不断增加。因此,研究高
管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法.pdf
本发明公开了一种高纯度、高密度、低氧含量、低电阻率的管状旋转高纯硅溅射靶材的制备方法,包括如下步骤:靶材基管准备:选用并检验所需型号的靶材基管;基管表面预处理:将靶材基管进入基管预处理设备进行喷砂粗化、喷涂打底结合层,得到准备喷涂的靶材基管;硅粉原料准备:称取含量:99.95%‑99.99%、氧含量≤1500ppm、粒径为45‑150um的硅粉;烘干:将所得的硅粉原料置于烘干炉中烘干;真空等离子喷涂:将靶材基管置于密封的喷涂仓内,采用大功率超音速等离子喷涂枪,使用等离子体为热源将所得硅粉加热到熔融或半熔