氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113801127A(43)申请公布日2021.12.17(21)申请号202010647254.8H01L51/54(2006.01)(22)申请日2020.07.07(71)申请人北京八亿时空液晶科技股份有限公司地址102502北京市房山区燕山东流水路20号(72)发明人姜卫东朱波冯静程友文谢佩侯斌孙建波李程辉(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司11002代理人盛大文(51)Int.Cl.C07D491/06(2006.01)C07D495/06(2006.01)C09K11/06(2006.01)权利要求书19页说明书36页附图1页(54)发明名称氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用(57)摘要本发明涉及有机电致发光技术领域，尤其涉及氧杂、硫杂甘菊环衍生物及其应用。所述氧杂、硫杂甘菊环衍生物结构通式如式I所示：本发明提供的氧杂、硫杂甘菊环衍生物具有较高的载流子迁移率，适宜作为有机电致发光元件用材料使用，通过在本发明的有机电致发光元件用材料中含有本发明的氧杂、硫杂甘菊环衍生物，从而能够提供启动电压降低，提高发光效率和亮度的有机电致发光元件用材料。CN113801127ACN113801127A权利要求书1/19页1.一种氧杂、硫杂甘菊环衍生物，其特征在于，其结构通式如式I所示：1234567其中，R、R、R、R、R、R、R在每次出现时相同或不同地选自氢、氘、具有C1～C40的直链烷基、具有C1～C40的直链杂烷基、具有C3～C40的支链或环状的烷基、具有C3～C40的支链或环状的杂烷基、具有C2～C40的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳香族环系或杂芳族环系组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R取代；X选自O或S；W选自CR或N，并且两个相邻的基团W代表如式(a)所示的基团：其中，G代表C(R)2、NR、氧或硫；Z代表CR或N；^代表式(a)中相邻的基团W；1R在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar)2、N8181(R)2、C(＝O)Ar、C(＝O)R、P(＝O)(Ar)2、具有C1～C40的直链烷基、具有C1～C40的直链杂烷基、具有C3～C40的支链或环状的烷基、具有C3～C40的支链或环状的杂烷基、具有C2～C40的烯基或炔基、具有5～80个、优选5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R8取代，或这些体系的88888组合中，其中一个或多个非相邻的-CH2-基团可被RC＝CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、8888C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、P(＝O)(R)、SO、SO2、NR、O、S或CONR代替，并且其中一个或多个氢原子或被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R8取代；81R在每次出现时相同或不同地选自氢原子、氘原子、卤素原子、腈基、硝基、N(Ar)2、N9191(R)2、C(＝O)Ar、C(＝O)R、P(＝O)(Ar)2、具有C1～C40的直链烷基、具有C1～C40的直链杂烷基、具有C3～C40的支链或环状的烷基、具有C3～C40的支链或环状的杂烷基、具有C2～C40的烯基或炔基、具有5～60个原子的芳族环或杂芳族环系、具有5～60个原子的芳氧基或杂芳氧基组成的组，所述基团中的每个可被一个或多个基团R9取代，或这些体系的组合中，其中一99999个或多个非相邻的-CH2-基团可被RC＝CR、C≡C、Si(R)2、Ge(R)2、Sn(R)2、C＝O、C＝S、C＝2CN113801127A权利要求书2/19页9999Se、C＝NR、P(＝O)(R)、SO、SO2、NR、O、S或CONR代替，并且其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子、腈基或硝基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R可以任选地接合或稠合形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团R9取代；Ar1在每次出现时相同或不同地是具有5～30个原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个非芳族基团R9取代；此处键合至同一氮原子或磷原子的两个基团Ar1也可通过99单键或选自N(R)、C(R)2、氧或硫的桥连基彼此桥连；9R选自氢原子、氘原子、氟原子、腈基、具有C1～C20的脂族烃基、具有5～30个原子的芳族环或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被氘原子、卤素原子或腈基代替，其中两个或更多个相邻的取代基R9可彼此形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。2.根据权利要求1所述的氧杂、硫杂甘菊环衍生物，其特