硫醚基氧杂环丁烷硅烷偶联剂及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113336787A(43)申请公布日2021.09.03(21)申请号202110700963.2(22)申请日2021.06.21(71)申请人湖北固润科技股份有限公司地址448000湖北省荆门市化工循环产业园冯庙村三组(72)发明人孙芳杨宗鑫邹应全(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所11247代理人张振军刘金辉(51)Int.Cl.C07F7/18(2006.01)C09D7/63(2018.01)C09D11/03(2014.01)C09J11/06(2006.01)G03F7/004(2006.01)权利要求书4页说明书16页附图2页(54)发明名称硫醚基氧杂环丁烷硅烷偶联剂及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种硫醚基氧杂环丁烷硅烷偶联剂，其制备方法，包含其的可光固化组合物和由该可光固化组合物得到的光固化材料。本发明的硫醚基氧杂环丁烷硅烷偶联剂光固化后会固定在体系中，游离少，甚至不游离，还具有拉伸性能好，附着力强等优点。CN113336787ACN113336787A权利要求书1/4页1.下式(Ⅰ)化合物：R1、R2、R3相同或不同，并独立地为C1‑C6烷基或C1‑C6烷氧基，并且R1，R2，R3中的至少两个为C1‑C6烷氧基；R4为H、卤素、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟烷基、C1‑C6烷氧基或者C1‑C6卤代烷氧基；L1为直接键或具有1‑20个碳原子的二价连接基团；以及L2为直接键或具有1‑30个碳原子的二价连接基团。2.根据权利要求1的化合物，其中R1、R2、R3相同或不同，并独立地为C1‑C3烷基或C1‑C3烷氧基，并且R1，R2，R3中至少两个为C1‑C3烷氧基。3.根据权利要求1或2的化合物，其中R4为H、卤素、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4羟烷基、C1‑C4烷氧基或者C1‑C4卤代烷氧基。4.根据权利要求1‑3中任一项的化合物，其中L1为直接键、C1‑C20亚烷基、C1‑C20亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C20亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C20亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；以及L2为直接键、C1‑C30亚烷基、C1‑C30亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C30亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C30亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；优选L2为L21‑O‑L22，其中L21为C1‑C15亚烷基和L22为直接键或C1‑C15亚烷基。5.根据权利要求1‑4中任一项的化合物，其中R1、R2、R3相同或不同，并独立地为C1‑C6烷基或C1‑C6烷氧基，并且R1，R2，R3中的至少两个为C1‑C6烷氧基；R4为H、卤素、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6羟烷基、C1‑C6烷氧基或者C1‑C6卤代烷氧基；L1为直接键、C1‑C11亚烷基、C1‑C11亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C11亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C11亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；以及L2为直接键、C1‑C8亚烷基、C1‑C8亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C8亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C8亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；优选L2为L21‑O‑L22，其中L21为C1‑C5亚烷基和L22为直接键或C1‑C3亚烷基；优选的是，R1、R2、R3相同或不同，并独立地为C1‑C6烷基或C1‑C6烷氧基，并且R1，R2，R3中的至少两个2CN113336787A权利要求书2/4页为C1‑C6烷氧基；R4为H或C1‑C4烷基；L1为直接键、C1‑C6亚烷基、C1‑C6亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C6亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C6亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；以及L2为直接键、C1‑C6亚烷基、C1‑C6亚烷氧基、被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C6亚烷基、或者被一个或多个独立地选自NRa、O、S的非相邻杂原子间隔的C2‑C6亚烷氧基，其中Ra为H或C1‑C4烷基；优选L2为L21‑O‑L22，其中L21为C1‑C4亚烷基和L22为直接键或C1‑C2亚烷基。6.根据权利要求1‑5中任一项的化合物，其为一种或多种选自下组的化合物：7.一种