掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113759656A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202010485290.9(22)申请日2020.06.01(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司(72)发明人陈啸杜杳隽(74)专利代理机构上海德禾翰通律师事务所31319代理人侯莉(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法(57)摘要掩膜版制作方法及图形修正方法、半导体器件的形成方法，所述修正方法包括：提供初始图形；将所述初始子图形的轮廓分割，得到沿长度方向的第一初始分段和沿宽度方向的第二初始分段；获取每个第一初始分段的第一能量裕度和每个第二初始分段的第二能量裕度；设定第一初始分段的第一扩展偏移量；将第一初始分段沿着宽度方向平移第一扩展偏移量，获取第一分段；根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量；根据特征曝光能量的偏移量和第二能量裕度，获取第二初始分段的第二扩展偏移量；将第二初始分段沿着长度方向平移第二扩展偏移量，获取第二分段；第一分段和第二分段构成目标图形。CN113759656ACN113759656A权利要求书1/2页1.一种掩膜版图形修正方法，其特征在于，包括：提供初始图形，所述初始图形包括若干初始子图形；将所述初始子图形的轮廓分割，得到沿长度方向的第一初始分段和沿宽度方向的第二初始分段；获取每个第一初始分段的第一能量裕度和每个第二初始分段的第二能量裕度；设定第一初始分段的第一扩展偏移量；将第一初始分段沿着宽度方向平移第一扩展偏移量，获取第一分段；根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量；根据特征曝光能量的偏移量和第二能量裕度，获取第二初始分段的第二扩展偏移量；将第二初始分段沿着长度方向平移第二扩展偏移量，获取第二分段；第一分段和第二分段构成目标图形。2.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，根据第一扩展偏移量和第一能量裕度，获取特征曝光能量的偏移量的方法包括：根据第k个第一初始分段的第一能量裕度和第一扩展偏移量，获取第k个曝光能量的偏移量，dEk＝dCDX*EL1k；其中，dEk表示第k个曝光能量的偏移量，EL1k表示第k个第一初始分段的第一能量裕度，dCDX表示第一扩展偏移量，N表示第一初始分段的数量，k大于或等于1且小于或等于N的整数；在第一个曝光能量的偏移量至第N个曝光能量的偏移量中获取特征曝光能量的偏移量。3.根据权利要求2所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，在第一个曝光能量的偏移量至第N个曝光能量的偏移量中获取特征曝光能量的偏移量的方法包括：计算第一个曝光能量的偏移量至第N个曝光能量的偏移量的平均值，将计算得到的第一个曝光能量的偏移量至第N个曝光能量的偏移量的平均值作为所述特征曝光能量的偏移量。4.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，所述第一扩展偏移量为0.8nm～1nm。5.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，根据特征曝光能量的偏移量和第二能量裕度，获取第二初始分段的第二扩展偏移量的方法包括：dCDYj＝dEt/EL2j；其中，dCDYj表示第j个第二初始分段的第二扩展偏移量，dEt表示特征曝光能量的偏移量，EL2j表示第j个第二初始分段的第二能量裕度，j为大于或等于1的整数。6.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，所述初始子图形为长方形。7.根据权利要求1所述的掩膜版图形修正方法，其特征在于，第一初始分段和第二初始分段的长度分别为20nm～60nm。8.一种掩膜版制作方法，其特征在于，包括：对目标图形进行光学邻近修正，得到修正图形；根据修正图形制作掩膜版。9.根据权利要求8所述的掩膜版制作方法，其特征在于，对所述目标图形进行光学邻近修正步骤包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对修正图形进行修正，得到中间修正图2CN113759656A权利要求书2/2页形；获取中间修正图形和掩膜版图形之间的边缘放置误差；当边缘放置误差大于预设的阈值，则根据OPC修正模型对中间修正图形进行修正直至边缘放置误差小于所述阈值；当边缘放置误差小于所述阈值时，将中间修正图形作为所述修正图形。10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有底层掩模层；在底层掩模层上形成第一光刻复合层；图形化第一光刻复合层和底层掩模层，在底层掩模层中形成第一开口；形成第一开口之后，刻蚀去除第一光刻复合层；刻蚀去除第一光刻复合层