缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114167681A(43)申请公布日2022.03.11(21)申请号202010949720.8H01L21/66(2006.01)(22)申请日2020.09.10(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203上海市浦东新区张江路18号申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司(72)发明人高亚新沈泫李忠生游亚平(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人徐文欣(51)Int.Cl.G03F1/36(2012.01)G03F1/72(2012.01)G03F1/84(2012.01)权利要求书3页说明书8页附图12页(54)发明名称缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法(57)摘要一种缺陷检测方法、掩膜版制作方法及半导体结构形成方法，其中缺陷检测方法包括：提供目标版图，所述目标版图中包括若干目标图形，若干所述目标图形均沿第二方向延伸；根据所述目标版图获取待修正图像，所述待修正图像中包括若干待修正图形，所述待修正图形与所述目标图形对应；根据所述目标版图对所述待修正图像进行检测，获取所述待修正图像中相邻的缺陷图形；获取相邻所述缺陷图形中的待修正区域。通过获取的所述待修正区域，为后续修正掩膜版及半导体结构的形成提供修正基础。CN114167681ACN114167681A权利要求书1/3页1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供目标版图，所述目标版图中包括若干目标图形，若干所述目标图形均沿第二方向延伸；根据所述目标版图获取待修正图像，所述待修正图像中包括若干待修正图形，所述待修正图形与所述目标图形对应；根据所述目标版图对所述待修正图像进行检测，获取所述待修正图像中相邻的缺陷图形；获取相邻所述缺陷图形中的待修正区域。2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述待修正图像的方法包括：对所述目标版图进行若干次光学邻近修正处理，获取第一光学邻近修正版图，对所述第一光学邻近修正版图进行模拟曝光处理获取所述待修正图像。3.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述待修正图像的方法包括：提供半导体结构；对所述半导体结构进行曝光处理，获取所述待修正图像。4.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，相邻的所述缺陷图形包括：在第一方向上相邻的缺陷图形，所述第一方向与所述第二方向垂直。5.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，相邻的所述缺陷图形包括：在所述第二方向相邻的所述缺陷图形。6.如权利要求4所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述待修正图像中所述缺陷图形的方法包括：获取所述目标版图中沿所述第一方向相邻的所述目标图形之间的若干第一目标间距；获取所述待修正图像中沿所述第一方向相邻的所述待修正图形之间的若干第一测量间距；对比所述第一目标间距与所述第一测量间距，若所述第一测量间距小于对应的所述第一目标间距，则对应的所述待修正图形为所述缺陷图形。7.如权利要求6所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述目标版图中沿所述第一方向相邻的所述目标图形之间的若干第一目标间距的方法包括：将沿所述第一方向相邻的所述目标图形沿所述第二方向分割为若干第一分割段；获取相邻所述目标图形中对应的所述第一分割段之间的距离，并作为所述第一目标间距。8.如权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述待修正图像中沿所述第一方向相邻所述待修正图形之间的若干第一测量间距的方法包括：将沿所述第一方向相邻的所述待修正图形沿所述第二方向分割为若干第二分割段；获取相邻所述待修正图形中对应的所述第二分割段之间的距离，并作为所述第一测量间距。9.如权利要求8所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述待修正区域为矩形，所述待修正区域包括沿所述第一方向的第一尺寸、以及沿所述第二方向的第二尺寸，获取所述待修正区域的方法包括：获取所述第一尺寸和所述第二尺寸。10.如权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述第二尺寸的方法包括：获取每段所述第二分割段沿所述第二方向的分割段宽度尺寸；获取所述缺陷图形中缺陷分割段组，所述缺陷分割段组中包括一个或多个连续的第二分割段，且缺陷分割段组中的所述第二分割段的第一测量间距均小于第一目标间距；通过所述缺陷分割段组中的所述第二分割段的数量与所述第二分割段的分割段宽度尺寸的乘积，获取所述第二尺寸。11.如权利要求10所述的缺陷检测方法，其特征在于，获取所述第一尺寸的方法包括：2CN114167681A权利要求书2/3页获取所述缺陷分割段组中的所述第二分割段对应的所述第一分割段，所述第一尺寸为获取的所述第一分割段中最小的第一目标间距。12.如权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，还包括：在获取所述第二尺寸之