等离子处理装置以及等离子处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113826189A(43)申请公布日2021.12.21(21)申请号202080004581.X(51)Int.Cl.(22)申请日2020.04.21H01L21/3065(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.02.19(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0171412020.04.21(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/214854JA2021.10.28(71)申请人株式会社日立高新技术地址日本东京都(72)发明人一野贵雅佐藤浩平(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人吴秋明权利要求书2页说明书25页附图7页(54)发明名称等离子处理装置以及等离子处理方法(57)摘要为了提供使晶片的处理的成品率得到提升的等离子处理装置或等离子处理方法，具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子；具有圆筒形的样品台，其配置于该处理室内，在上表面载置所述晶片；多个加热器，其配置于所述样品台的内部，配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域，包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器；多个温度传感器，其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部，比所述多个加热器的个数少；和控制部，其在对应于来自所述温度传感器的输出调节所述多个加热器的输出以使所述样品台的温度接近于目标值后，将所述多个加热CN113826189A器各自的输出调节成预先确定的值。CN113826189A权利要求书1/2页1.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：处理室，其配置于真空容器内部，在内侧配置处理对象的晶片并形成等离子；具有圆筒形的样品台，其配置于该处理室内，在上表面载置所述晶片；多个加热器，其配置于所述样品台的内部，配置于包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心而同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域，所述多个加热器包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器；多个温度传感器，其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部，比所述多个加热器的个数少；和控制部，其在对应于来自所述温度传感器的输出来调节所述多个加热器的输出以使所述样品台的温度接近于目标值后，将所述多个加热器各自的输出调节成预先确定的值。2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，所述多个加热器的输出的预先确定的值是使所述样品台的温度维持在包含所述目标值的容许范围内的值的值。3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，各个所述多个温度传感器配置于从上方来看投影各个所述多个径向的区域的区域内。4.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，各个所述圆弧状的区域的所述周向的长度与所述径向的长度相比更大。5.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置，其特征在于，各个所述多个径向的区域内的所述加热器被调节得成为相同的输出。6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，至少1个所述环状的区域还具有在所述径向的多个半径上同心状配置的多个环状的区域或关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域，所述等离子处理装置具备：多个加热器，其配置于这些区域各自的下方的所述样品台的内部。7.一种等离子处理方法，在真空容器内部的处理室内所配置的样品台上载置处理对象的晶片，并在该处理室内形成等离子来对所述晶片进行处理，所述等离子处理方法的特征在于，所述样品台具有圆筒形，在其内部具有：多个加热器，其配置在包含关于从中心向外周侧的径向在多个半径上绕着所述中心而同心状配置的圆形的区域以及包围其外周的环状的区域的3个以上径向的区域的每一个区域，所述多个加热器包含配置于至少1个所述环状的区域的关于绕着所述中心的周向而划分的多个圆弧状的区域的每一个区域的加热器；和多个温度传感器，其配置于所述多个径向的区域的各自下方的所述样品台内部，比所述多个加热器的个数少，所述离子处理方法具备如下工序：对应于来自所述温度传感器的输出来调节所述多个加热器的输出，以使所述样品台的温度接近目标值的工序；以及在该工序后，将所述多个加热器各自的输出调节成预先确定的值的工序。2CN113826189A权利要求书2/2页8.根据权利要求7所述的等离子处理方法，其特征在于，所述多个加热器的输出的预先确定的值是使所述样品台的温度维持在包含所述目标值的容许范围内的值的值。9.根据权利要求7或8