等离子体处理装置及等离子体处理装置的运转方法.pdf

本发明提供能够稳定且在短时间内变更装置状态的等离子体处理装置以及等离子体处理装置的运转方法。本发明的等离子体处理装置，具有输出干预处理容器内的等离子体的高频的多个高频电源，将这些输出功率依次阶段性地增大，由得到的等离子体对被处理体进行处理，该等离子体处理装置包括：按每个高频电源设置的高频电源单元，其包括，高频电源、控制其输出的功率控制部、测量反射波的功率值的反射波测量机构；判断各反射波的测量功率值是否在阈值以下的机构；和，对于轮到使输出功率增大一个等级的一个高频电源，在另一个高频波电源的反射波的测量功率值

2023-10-22

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等离子体处理装置和等离子体处理方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN101090598A(43)申请公布日2007.12.19(21)申请号CN200710109175.6(22)申请日2007.06.14(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人堀口贵弘(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人龙淳(51)Int.CIH05H1/46H01L21/02权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称等离子体处理装置和等离子体处理方法(57)摘要本发明涉及微波等离子体处

2024-08-19

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等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统.pdf

本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序:准备工序,准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板,该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表面,且具有在所述被蚀刻膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面,该第1膜至少包含第1部分和第2部分,所述第1部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的上表面的部分,所述第2部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的部分,所述第1部分的膜厚厚于所述第2部分的膜厚;以及修整工序,至少对所述光致

2023-05-05

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晶片处理方法和等离子体处理装置.pdf

本发明提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)，第一化学种在侧壁面上由前驱体形成膜，第二化学种抑制膜的厚度的增加，工序(a)与工序(b)交替重复。

2023-07-24

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等离子体处理装置.pdf

一种进一步提高对基板处理的均匀性的等离子体处理装置。具备：容纳应进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)；和向处理容器(4)内供给激发等离子体所需的电磁波的电磁波源(85)，在处理容器(4)的盖体(3)下表面设置有多个介电体(25)，该多个介电体用于将由电磁波源(85)供给的电磁波透过到处理容器(85)的内部，且该介电体的一部分露出到处理容器(4)的内部，在介电体(25)的下表面设置有金属电极(27)，对于金属电极(27)和在盖体(3)下表面之间露出的介电体(25)的部分，在从处理容器(4)的

2023-10-21

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