等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统.pdf
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等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统.pdf
本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序:准备工序,准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板,该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表面,且具有在所述被蚀刻膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面,该第1膜至少包含第1部分和第2部分,所述第1部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的上表面的部分,所述第2部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的部分,所述第1部分的膜厚厚于所述第2部分的膜厚;以及修整工序,至少对所述光致
等离子体处理方法和等离子体处理系统.pdf
本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理系统,在等离子体处理前适当地对腔室的内部的构件的表面进行预涂布。等离子体处理方法包含以下工序:工序(a),利用包含不含卤素的前体气体的第一处理气体对腔室的内部的构件的表面形成第一保护膜;以及工序(b),在对所述构件的表面形成所述第一保护膜之后,利用第二处理气体的等离子体对被搬入到所述腔室的内部的处理对象体进行等离子体处理。
等离子体处理装置和等离子体处理方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN101090598A(43)申请公布日2007.12.19(21)申请号CN200710109175.6(22)申请日2007.06.14(71)申请人东京毅力科创株式会社地址日本东京都(72)发明人堀口贵弘(74)专利代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人龙淳(51)Int.CIH05H1/46H01L21/02权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称等离子体处理装置和等离子体处理方法(57)摘要本发明涉及微波等离子体处
等离子体处理装置及等离子体处理装置的运转方法.pdf
本发明提供能够稳定且在短时间内变更装置状态的等离子体处理装置以及等离子体处理装置的运转方法。本发明的等离子体处理装置,具有输出干预处理容器内的等离子体的高频的多个高频电源,将这些输出功率依次阶段性地增大,由得到的等离子体对被处理体进行处理,该等离子体处理装置包括:按每个高频电源设置的高频电源单元,其包括,高频电源、控制其输出的功率控制部、测量反射波的功率值的反射波测量机构;判断各反射波的测量功率值是否在阈值以下的机构;和,对于轮到使输出功率增大一个等级的一个高频电源,在另一个高频波电源的反射波的测量功率值
紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法.pdf
本发明涉及紧固构造、等离子体处理装置以及紧固方法。在将构成基板处理装置的构件彼此利用紧固螺纹件紧固的紧固构造中,抑制因构件间的热膨胀差而紧固螺纹件变形。一种将构成基板处理装置的第1、第2构件利用紧固螺纹件紧固的紧固构造,第1构件具有内螺纹部,紧固螺纹件具有螺纹件头部和形成有与内螺纹部螺合的外螺纹部的螺纹件杆部,第2构件具有供螺纹件杆部贯穿的贯通孔,紧固构造具备在螺纹件头部与第2构件之间重叠地配置并供螺纹件杆部贯穿的第1、第2垫圈,贯通孔的截面是长圆形状,第1垫圈配置于螺纹件头部那侧并具有供螺纹件杆部贯穿的