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本发明提供能够控制开口的尺寸的等离子体处理方法、等离子体处理装置以及等离子体处理系统。本公开的等离子体处理方法包含以下工序:准备工序,准备具有(a)被蚀刻膜、(b)光致抗蚀剂膜和(c)第1膜的基板,该光致抗蚀剂膜形成于所述被蚀刻膜的上表面,且具有在所述被蚀刻膜的所述上表面规定出至少一个开口的侧面,该第1膜至少包含第1部分和第2部分,所述第1部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的上表面的部分,所述第2部分是形成于所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的部分,所述第1部分的膜厚厚于所述第2部分的膜厚;以及修整工序,至少对所述光致抗蚀剂膜的所述侧面的至少局部和所述第1膜的所述第2部分的至少局部进行蚀刻。