半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113936730A(43)申请公布日2022.01.14(21)申请号202010667480.2(22)申请日2020.07.13(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人杨正杰(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人姚姝娅(51)Int.Cl.G11C29/04(2006.01)G11C29/56(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图2页(54)发明名称半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备(57)摘要本发明涉及一种半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备。该方法包括：获取目标芯片；分别对目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元进行读写功能测试后，获取异常芯片；记录各个读写功能异常的存储单元在异常芯片上的位置信息；根据位置信息判断异常芯片的读写功能异常是否为块状异常；其中，异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。本申请确认异常芯片的读写功能异常是否为块状异常的测试周期短，成本低。CN113936730ACN113936730A权利要求书1/2页1.一种半导体芯片的测试方法，其特征在于，包括：获取目标芯片；分别对所述目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元进行读写功能测试后，获取异常芯片；记录各个读写功能异常的存储单元在所述异常芯片上的位置信息；根据所述位置信息判断所述异常芯片的读写功能异常是否为块状异常；其中，所述异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标芯片包括堆叠型存储芯片。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设数量的存储单元包括所述目标芯片边缘区域的A行、B列的存储单元，其中，A与B均为整数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述位置信息判断所述异常芯片的读写功能异常是否为块状异常的步骤包括：若所述读写功能异常的存储单元为所述异常芯片上的多行或多列存储单元，则判定所述异常芯片的读写功能异常为块状异常，否则，判定所述异常芯片的读写功能异常为非块状异常；其中，所述多行或多列存储单元是指不小于2行或不小于2列的存储单元。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试方法是在崩应测试时进行的。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述读写功能异常的存储单元为从所述异常芯片边缘向所述异常芯片中心的多行或多列存储单元，则判定所述异常芯片具有缺角或裂痕异常；其中，所述多行或多列存储单元是指不小于2行或不小于2列的存储单元。7.一种半导体芯片的测试系统，其特征在于，用于测试目标芯片，包括：设置模块，用于设置所述目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元为测试单元；测试模块，与所述设置模块相连，用于对所述测试单元进行读写功能测试后，得到测试数据；处理模块，与所述测试模块相连，用于根据所述测试数据得到读写功能异常的异常芯片，以及所述异常芯片中各个读写功能异常的存储单元在所述异常芯片上的位置信息，所述处理模块还用于根据所述位置信息判定所述异常芯片的读写功能异常是否为块状异常；其中，所述异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。8.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述设置模块用于设置所述目标芯片边缘区域A行、B列存储单元为测试单元，其中，A与B均为整数。9.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述处理模块用于根据所述位置信息得到所述读写功能异常的存储单元在所述异常芯片上的分布，若所述读写功能异常的存储单元为所述异常芯片边缘区域的多行或多列存储单元，则得到所述异常芯片的读写功能异常为块状异常，否则，得到所述异常芯片的读写功能异常为非块状异常；其中，所述多行或多列存储单元是指不小于2行或不小于2列的存储单元。10.根据权利要求7所述的测试系统，其特征在于，所述测试系统还包括存储模块，所述存储模块与所述处理模块相连，用于存储所述异常芯片上各个读写功能异常的存储单元的位置信息，所述存储模块还用于存储所述目标芯片上各个存储单元的位置信息。2CN113936730A权利要求书2/2页11.一种半导体芯片的测试设备，其特征在于，所述测试设备包括权利要求7-10任一项所述的测试系统。3CN113936730A说明书1/7页半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备技术领域[0001]本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备。背景技术[0002]电子组件(产品)系经过多道的加工程序所制造完成，因此为了确保产品质量，电子组件(产品)制造完成后，均会进行检测作业，以检测电子组件于制作过程中，是否损坏，进而检测出不良品。即