半导体测试-器件与芯片测试.ppt

章半导体器件测试一、半导体器件简介（一）半导体二极管图半导体二极管的结构及符号（c）集成电路中的平面型结构;（d）图形符号一般二极管和稳压二极管稳压二极管：利用PN结在一定的反向电压下,可引起雪崩击穿.这时二极管的反向电流急速增大，但反向电压基本不变.因此，可以作为稳压电源使用。反向击穿电压数值在40V以上的是二极管，低于40V的稳压管。图一普通二极管，第一个是国内标准的画法；图二双向瞬变抑制二极管；图三分别是光敏或光电二极管，发光二极管；图四为变容二极管；图五是肖特基二极管；图六是恒流二极管；图七是稳压二极管；双极型晶体管的几种常见外形（a）小功率管（b）小功率管（c）中功率管（d）大功率管B图1.16三极管电路的三种组态（a）共发射极接法;（b）共基极接法;和各极电流（c）共集电极接法图1.15三极管放大需要的电源接法（a）NPN型;（b）PNP型场效应晶体管（FieldEffectTransistor,简称FET）是与双极性晶体管工作原理不同。双极性晶体管是利用基极电流控制集电极电流，电流控制型的放大元件。带有正电荷的空穴及负电荷的电子，具有放大功能的意义，故称为双极性。MOSFET是利用栅极电压来控制漏极电流的电压控制型的放大元件。FET的特征是在低频带有极高的输出阻抗为1011～1012Ω（MOSFET更高）另外，FET比双极性晶体管噪音小，可作为功率放大器使用。结构和电路符号N沟道耗尽型P沟道耗尽型MOSFET的分类和符号2021/5/18二、半导体器件的性能测试二极管的测试双极晶体管测试MOS结构C-V特性测试1、二极管的主要测试参数二极管I-V特性稳压二极管硅管的正向管压降一般为0.6~0.8V，锗管的正向管压降则一般为0.2~0.3V。1、三极管的主要测试参数2021/5/18图7.2共射双极型晶体管的放大特性图共射双极型晶体管反向击穿特性2、双极晶体管的性能测试测试设备—晶体管参数测试仪三、MOS结构的C-V特性测试C-V特性测试简介MOS（金属－氧化物－半导体）结构的电容是外加压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线，简称C－V特性。C-V曲线与半导体的导电类型及其掺杂浓度、SiO2-Si系统中的电荷密度有密切的关系。利用实际测量到的MOS结构的C-V曲线与理想的MOS结构的C-V特性曲线比较，可求得氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度、氧化层中可动电荷面密度和固定电荷面密度等参数。在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，也是器件、电路参数分析和可靠性研究的有效工具。P型衬底的MOSP型衬底的MOSN型衬底MOS的高频和低频C-V特性2021/5/18实验设备所用仪器设备主要包括三部分:测试台(包括样品台、探针、升温和控温装置等)高频（1MHz或更高）hp4275AC-V测试仪计算机实验内容第七章复习题