一种半导体芯片的测试方法、装置及系统.pdf
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一种半导体芯片的测试方法、装置及系统.pdf
本发明涉及半导体器件测试领域,具体涉及一种半导体芯片的测试方法、装置及系统,包括支撑组件、调整组件和接触组件,支撑组件包括底座、支撑架和定位器,通过定位器可以将需要测试的芯片进行定位;调整组件包括升降器和水平调节器,通过升降器可以升降调节接触组件靠近或者远离芯片,水平调节器可以控制接触组件在水平面内移动以改变需要测试的位置,接触组件包括支杆、第一转动块、第二转动块和两个探针,第一转动块和第二转动块可以相对支杆转动,两个探针可以分别跟随第一转动块和第二转动块移动,可以方便地对不同位置的测点进行接触以进行测试
半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备.pdf
本发明涉及一种半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备。该方法包括:获取目标芯片;分别对目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元进行读写功能测试后,获取异常芯片;记录各个读写功能异常的存储单元在异常芯片上的位置信息;根据位置信息判断异常芯片的读写功能异常是否为块状异常;其中,异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。本申请确认异常芯片的读写功能异常是否为块状异常的测试周期短,成本低。
一种用于半导体芯片性能测试的装置及方法.pdf
本发明涉及一种用于半导体芯片性能测试的装置,包括底板、调节组件、探针组件和载盘,调节组件和载盘分别设置在底板上的左右两侧,调节组件包括快速调节架、微调调节架、机械臂和角度轴,探针组件包括限位套筒、调节套筒和钨丝探针,限位套筒与角度轴可拆式连接,限位套筒上设有盲孔,调节套筒套装在钨丝探针上,调节套筒插入盲孔内,钨丝探针贯穿限位套筒,钨丝探针的针头位于限位套筒的下方,该用于半导体芯片性能测试的装置中,采用软钨丝作为探针,可进行大量次重复性测试,保护芯片的金属层;可以随意控制两根钨丝探针伸出的长度、间距,可实现
一种半导体芯片的制造方法及半导体芯片.pdf
本发明公开了一种半导体芯片的制造方法,包括如下步骤:在半导体基片上生长硬掩模介质层,所述半导体基片包括浓掺杂的衬底和轻掺杂的外延层,衬底和外延层的掺杂类型为N型;以硬掩模介质层为阻挡层,采用光刻、刻蚀工艺,在半导体基片上形成沟槽;去除所述硬掩模介质层,生长第一氧化硅、氮化硅以及第二氧化硅;采用化学机械研磨工艺,去除高出所述氮化硅上表面的第二氧化硅,保留所述沟槽中的第二氧化硅;采用离子注入、退火工艺,在所述外延层之中形成第一P型掺杂区;采用腐蚀工艺,去除所述沟槽中的部分第二氧化硅;本发明提供一种半导体芯片,
一种平面级联半导体芯片装置及级联方法.pdf
本发明公开了一种平面级联半导体芯片装置及级联方法,装置包括:载板;至少两个组装在所述载板同一平面的半导体芯片;其中,每个半导体芯片均具有至少一个盲孔,在组装完成后两个半导体芯片的盲孔位置对应形成一个完整的盲孔;所述的盲孔包括金属化侧壁;填充至所述完整的盲孔并烧结成型的导电填充剂。本发明采用半导体工艺,在两颗芯片需级联的地方形成一定深度的盲孔,在通过后续的加工制作,在盲孔中实现纳米银浆填充,使得整个芯片级联平面化,有效的避免bond线引入的风险。