一种芯片的扇出型超薄封装结构及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114121888A(43)申请公布日2022.03.01(21)申请号202111397923.1H01L21/56(2006.01)(22)申请日2021.11.19(71)申请人华天科技（昆山）电子有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市经济开发区龙腾路112号(72)发明人马书英刘苏肖智轶(74)专利代理机构苏州国诚专利代理有限公司32293代理人李小叶(51)Int.Cl.H01L23/528(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/13(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/52(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种芯片的扇出型超薄封装结构及其制作方法(57)摘要本发明公开了一种芯片的扇出型超薄封装结构及其制作方法，该封装结构包括：载板，该载板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，载板上开设有至少一个贯穿载板的通槽；至少一个芯片，芯片埋入载板的通槽中，且芯片的正面与载板的第一表面齐平；塑封层，填充于芯片与载板的通槽之间；至少一层重布线层，通过绝缘介质层间隔堆叠于芯片的上方，且芯片正面的焊垫与所述重布线层电连接，信号导出结构，与重布线层电连接；保护层，设置于芯片的下方。该封装结构可以有效改善单一塑封料重组晶圆所带来的翘曲问题，并可以匹配芯片的厚度以实现芯片封装厚度按需自由变化的目的，还可以实现有源、无源器件的异质集成。CN114121888ACN114121888A权利要求书1/2页1.一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，包括：载板，该载板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，载板上开设有至少一个贯穿载板的通槽；至少一个芯片，芯片埋入所述载板的通槽中，且芯片的正面与载板的第一表面齐平；塑封层，填充于芯片与载板的通槽之间；至少一层重布线层，通过绝缘介质层间隔堆叠于芯片的上方，且芯片正面的焊垫与所述重布线层电连接，信号导出结构，与重布线层电连接；保护层，设置于芯片的下方。2.根据权利要求1所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，所述塑封层向上覆盖于芯片的正面和载板的第一表面，所述保护层设置于芯片的背面和载板的第二表面上。3.根据权利要求2所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，包括两层绝缘介质层和两层重布线层；第一层重布线层设置于塑封层上，第一层绝缘介质层覆盖于第一层重布线层上，第二层重布线层设置于第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层覆盖于第二重布线层上，信号导出结构设置于第二层绝缘介质层上。4.根据权利要求1所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，所述塑封层向下覆盖于芯片的背面和载板的第二表面，所述保护层设置于塑封层上。5.根据权利要求4所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，包括三层绝缘介质层和两层重布线层；第一层绝缘介质层覆盖于芯片的正面和载板的第一表面上，第一层重布线层设置于第一层绝缘介质层上，第一层重布线层设置于第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层覆盖于第一层重布线层上，第二层重布线层设置于第二层绝缘介质层上，第三绝缘介质层覆盖于第二层重布线层上，信号导出结构设置于第三层绝缘介质层上。6.根据权利要求1所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，所述信号导出结构为锡球、金属凸点或金属柱。7.根据权利要求1所述的一种芯片的扇出型超薄封装结构，其特征在于，所述保护层为背胶膜或散热片。8.一种芯片的扇出型超薄封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S01，将一支撑基体与一载板键合在一起；S02，在载板上形成贯穿的通槽；S03，在载板的通槽内埋入芯片，芯片正面的焊垫向上；S04，采用塑封材料塑封芯片与载板，形成塑封层，塑封层的高度高于芯片的正面和载板的表面；S05，在塑封层的对应于芯片的焊垫的位置制作导通开口，在塑封层的导通开口上方制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开口的绝缘介质层；S06，在最外层的绝缘介质层的导通开口处形成信号导出结构；S07，将支撑基体和载板分离，以去除支撑基体，使芯片的背面暴露，并在芯片背面制作保护层；S08，划片切割形成单颗封装结构；2CN114121888A权利要求书2/2页上述步骤中，S01和S02不分先后顺序。9.一种芯片的扇出型超薄封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S11，将一支撑基体与一载板键合在一起；S12，在载板上形成贯穿的通槽；S13，在载板的通槽内埋入芯片，芯片正面的焊垫向下；S14，采用塑封材料塑封芯片与载板，形成塑封层，塑封层的高度高于芯片的背面和载板的表面；S15，倒转步骤S14形成的结构，使芯片正面的焊垫向上，将支撑基