扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114242667A(43)申请公布日2022.03.25(21)申请号202111502711.5H01L25/18(2006.01)(22)申请日2021.12.10(71)申请人甬矽电子（宁波）股份有限公司地址315400浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号(72)发明人何正鸿徐玉鹏李利张超钟磊(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人梁晓婷(51)Int.Cl.H01L23/31(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图7页(54)发明名称扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构(57)摘要本发明的实施例提供了一种扇出型芯片封装方法和扇出型芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。通过在载具的表面贴装形成第一胶膜凸起，然后塑封后形成包覆在第一胶膜凸起外的塑封体，然后去除载具和第一胶膜凸起，保留了具有第一凹槽的塑封体，然后在第一凹槽内贴装第一芯片，并在塑封体的表面形成钝化层，最后形成布线组合层并完成植球。相较于现有技术，本发明能够避免使用硅衬底刻蚀凹槽的方式来防止芯片，从而避免了刻蚀带来的一系列问题。并且采用胶膜凸起倒模的方式，降低了工艺难度，并且对于第一凹槽的尺寸管控更为精确，有利于芯片的安装。此外，由于在载具上完成塑封动作，在载具的支撑下能够有效防止塑封翘曲问题。CN114242667ACN114242667A权利要求书1/2页1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括：在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起；在所述载具的一侧表面形成包覆在所述第一胶膜凸起外的塑封体；去除所述载具和所述第一胶膜凸起，以在所述塑封体的一侧表面形成与所述第一胶膜凸起对应的第一凹槽；在所述第一凹槽内贴装第一芯片；在所述塑封体的一侧表面形成钝化层；在所述钝化层上形成布线组合层；在所述布线组合层上植球，以形成焊球；其中，所述第一胶膜凸起的尺寸与所述第一芯片的尺寸相适配，所述钝化层覆盖在所述第一凹槽和所述第一芯片上，且所述焊球与所述布线组合层电连接，所述布线组合层与所述第一芯片电连接。2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤之后，所述方法还包括：在所述载具上贴装预贴芯片。3.根据权利要求2所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤，包括：在所述载具的一侧表面设置第一胶膜层；在所述第一胶膜层上设置第二胶膜层；去除第一预设区域的所述第二胶膜层，并露出所述第一胶膜层，以形成第一胶膜凸起。4.根据权利要求2所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，在载具的一侧表面形成第一胶膜凸起的步骤，包括：在所述载具的一侧表面设置第一胶膜层；在所述第一胶膜层上设置第二胶膜层；去除第二预设区域的所述第二胶膜层，并露出所述第一胶膜层，以形成第一胶膜凸起和第二胶膜凸起；其中，所述第二胶膜凸起位于所述第一胶膜凸起和所述预贴芯片之间。5.根据权利要求4所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，去除所述载具和所述第一胶膜凸起的步骤，包括：切割所述载具；去除所述第一胶膜凸起及其对应位置处的所述载具，以形成所述第一凹槽；去除所述预贴芯片对应位置处的所述载具，以暴露所述预贴芯片。6.根据权利要求5所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，在所述塑封体的一侧表面形成钝化层的步骤，包括：在所述塑封体的表面形成覆盖所述第一芯片和所述预贴芯片的第一钝化层；去除所述第二胶膜凸起及其对应位置处的所述载具，以形成第二凹槽；在所述第二凹槽内贴装第二芯片；在所述塑封体的表面形成覆盖所述第二芯片的第二钝化层。7.根据权利要求5所述的扇出型芯片封装方法，所述第二胶膜凸起为多个，其特征在2CN114242667A权利要求书2/2页于，在所述塑封体的一侧表面形成钝化层的步骤，包括：在所述塑封体的表面形成覆盖所述第一芯片和所述预贴芯片的第一钝化层；去除与所述第二胶膜凸起对应位置处的所述载具；去除部分所述第二胶膜凸起，以形成第二凹槽；在所述第二凹槽内贴装第二芯片；在所述塑封体的表面形成覆盖所述第二芯片和所述第二胶膜凸起的第二钝化层。8.根据权利要求1‑7任一项所述的扇出型芯片封装方法，其特征在于，在所述钝化层上形成布线组合层的步骤，包括：在所述钝化层上设置贯通至所述第一芯片的第一金属层；在所述钝化层上形成第一布线层；在所述第一布线层上设置贯通至所述第一金属层的第二金属层；在所述第一布线层上形成第二布线层；在所述第二布线层上设置贯通至所述第二金属层的第三金属层；其中，所述第一金属层与所述第一芯片电连接，所述第二金属层与