一种三维扇出型封装结构及其制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114649292A(43)申请公布日2022.06.21(21)申请号202210241143.6(22)申请日2022.03.11(71)申请人无锡中微高科电子有限公司地址214062江苏省无锡市滨湖区惠河路5号(72)发明人戴飞虎王成迁段鹏超杨诚高艳(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104专利代理师陈丽丽殷红梅(51)Int.Cl.H01L23/498(2006.01)H01L21/48(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称一种三维扇出型封装结构及其制作方法(57)摘要本发明涉及集成电路封装技术领域，具体公开了一种三维扇出型封装结构，其中，包括：无源载板，其设置多个金属填充盲孔，正面形成有第一再布线金属层和第一再布线钝化层；第一再布线钝化层上通过垂直引线焊盘和垂直引线连接第一芯片塑封结构，第一芯片塑封结构上形成有第二再布线金属层和第二再布线钝化层，第二再布线钝化层上形成有第二芯片塑封结构；无源载板的背面形成背面凹槽，无源载板的背面除去背面凹槽的底壁位置处均设置背面钝化层，一部分背面凹槽内形成金属凸点，另一部分背面凹槽连接第三芯片结构。本发明还公开了一种三维扇出型封装结构的制作方法。本发明提供的三维扇出型封装结构有效解决了翘曲和散热问题。CN114649292ACN114649292A权利要求书1/2页1.一种三维扇出型封装结构，其特征在于，包括：无源载板，所述无源载板内设置多个金属填充盲孔；所述无源载板的正面形成有第一再布线金属层和第一再布线钝化层，所述第一再布线金属层和所述第一再布线钝化层均与所述金属填充盲孔接触；所述第一再布线钝化层上通过垂直引线焊盘和垂直引线连接第一芯片塑封结构，所述第一芯片塑封结构上形成有第二再布线金属层和第二再布线钝化层，所述第二再布线钝化层上形成有与所述垂直引线连接的第二芯片塑封结构；所述无源载板的背面形成与所述金属填充盲孔位置对应的背面凹槽，所述无源载板的背面除去所述背面凹槽的底壁位置处均设置背面钝化层，一部分所述背面凹槽内形成金属凸点，另一部分所述背面凹槽连接第三芯片结构。2.根据权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第一再布线钝化层间隔布局在所述第一再布线金属层内，所述第一再布线钝化层的上表面均设置所述垂直引线焊盘。3.根据权利要求1或2所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片塑封结构包括第一芯片和第一塑封层，所述第一芯片倒装在位于中间区域的所述垂直引线焊盘上，所述第一塑封层位于边缘区域的所述垂直引线焊盘上，且包围所述第一芯片的侧壁，位于边缘区域的所述垂直引线焊盘上设置所述垂直引线，且所述垂直引线被所述第一塑封层包封。4.根据权利要求3所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第二再布线金属层覆盖在所述第一芯片和所述第一塑封层的上表面，所述第二再布线钝化层间隔设置在所述第一塑封层的上表面，且均与所述垂直引线连接。5.根据权利要求4所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片塑封结构包括第二芯片和第二塑封层，所述第二芯片倒装在所述第一塑封层的上方，且所述第二芯片的凸点与所述第二再布线钝化层连接，所述第二塑封层位于覆盖在所述第二再布线金属层上，且包围所述第一塑封层的侧壁以及所述第二芯片设置。6.根据权利要求5所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片与所述第二再布线金属层之间设置有第二填充层。7.根据权利要求3所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第一芯片与所述第一再布线金属层之间设置有第一填充层。8.一种三维扇出型封装结构的制作方法，用于制作权利要求1至7中任意一项所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述制作方法包括：提供无源载板，所述无源载板内设置多个金属填充盲孔；在所述无源载板的正面进行n层再布线，得到第一再布线金属层和第一再布线钝化层，其中所述第一再布线金属层和所述第一再布线钝化层均与所述金属填充盲孔接触；在所述第一再布线钝化层上制作垂直引线焊盘；将第一芯片倒装在位于中间区域的所述垂直引线焊盘上；在位于边缘区域的所述垂直引线焊盘上制作垂直引线；制作第一塑封层，将所述垂直引线和所述第一芯片进行包封；在所述第一塑封层上进行n层再布线，得到第二再布线金属层和第二再布线钝化层，其2CN114649292A权利要求书2/2页中所述第二再布线钝化层位于所述垂直引线的正上方，且与所述垂直引线连接；将第二芯片倒装在所述第一塑封层的上方，且所述第二芯片的凸点与所述第二再布线钝化层连接；在所述第二再布线金属层上形成第二塑封层，所述第二塑封层包封所述第一塑封层的侧壁以及所述第