扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110581079A(43)申请公布日2019.12.17(21)申请号201910897022.5(22)申请日2019.09.23(71)申请人合肥矽迈微电子科技有限公司地址230001安徽省合肥市高新区习友路3699号(72)发明人高阳(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人赵娟娟(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L23/49(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图5页(54)发明名称扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体(57)摘要本发明提供一种扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体，利用多次包封、开槽、沉积导电金属层、引脚电镀、图形化连接等工艺，制备的扇出型芯片封装体，芯片厚度可以减薄至小于或等于50um，极大地降低了芯片的体电阻，提高了元器件的性能；芯片背面无需再采用背银工艺利用银胶制作背银层，也无需通过导电胶粘结基板，省去了基板、银胶两种主要物料，有效节省芯片制造成本。CN110581079ACN110581079A权利要求书1/2页1.一种扇出型芯片封装方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供一待封装产品，所述待封装产品包括一载体，在所述载体上贴附有至少一个芯片，所述芯片的正面设有多个金属焊盘；(2)形成一第一塑封层包覆所述芯片，之后移除所述载体，其中，所述第一塑封层在所述芯片的至少一侧面向外延伸一待开槽区域；(3)从所述芯片的背面一侧对所述芯片以及所述第一塑封层进行减薄处理，并对所述第一塑封层的所述待开槽区域进行开槽，形成一凹槽；(4)在所述凹槽内进行导电金属层沉积，并在所述芯片的背面电镀形成一第一引脚，及在所述导电金属层的背面电镀形成一第二引脚；(5)从所述芯片的正面一侧对所述第一塑封层进行处理，以暴露并连接所述金属焊盘的顶面与所述导电金属层的正面，并进行塑封获取扇出型芯片封装产品。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待封装产品进一步采用如下步骤制备：(11)提供一晶圆，所述晶圆所包含的芯片的正面设有多个金属焊盘；(12)从远离所述金属焊盘的一侧对所述晶圆进行预减薄处理；(13)对所述晶圆进行切割，形成单颗芯片；(14)将所述芯片的背面贴附在所述载体上，形成所述待封装产品。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤(12)之后进一步包括：在所述芯片的所述金属焊盘顶面进行植金属球。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中减薄处理之后的芯片厚度小于或等于50um。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)进一步包括：(51)形成一第二塑封层包覆所述第一塑封层、所述第一引脚及所述第二引脚；(52)从所述芯片的正面一侧对所述第一塑封层进行研磨处理，以暴露所述金属焊盘的顶面以及所述导电金属层的正面；(53)进行电路排布，通过图形化连接线连接所述金属焊盘的顶面与所述导电金属层的正面，并形成一第三塑封层包覆所述第一塑封层、所述第二塑封层及所述图形化连接线，从而形成扇出型芯片封装产品。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(5)之后进一步包括：(6)暴露所述第一引脚及所述第二引脚的表面，并进行表面防氧化处理，之后切割形成单颗扇出型芯片封装体。7.一种扇出型芯片封装体，其特征在于，包括：一芯片，所述芯片的正面具有多个金属焊盘，所述芯片的背面具有至少一第一引脚；一导电金属层，所述导电金属层的背面具有一第二引脚；一第一塑封层，包覆所述芯片及所述导电金属层，并暴露所述金属焊盘、所述第一引脚、所述导电金属层的正面及所述第二引脚；一图形化连接线，连接在所述导电金属层的正面及相应金属焊盘之间；一第二塑封层，从所述芯片的背面包覆所述第一塑封层、所述第一引脚及所述第二引脚；2CN110581079A权利要求书2/2页一第三塑封层，从所述芯片的正面包覆所述第一塑封层及所述图形化连接线。8.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装体，其特征在于，所述芯片的厚度小于或等于50um。9.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装体，其特征在于，所述芯片的所述金属焊盘顶面植有金属球，所述图形化连接线进一步连接所述导电金属层的正面及相应金属焊盘上的金属球。10.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装体，其特征在于，所述第一引脚及所述第二引脚的表面暴露于所述第二塑封层，且暴露表面分别设有防氧化金属层。3CN110581079A说明书1/6页扇出型芯片封装方法及扇出型芯片封装体技术领域[0001]本发明涉及半导体封装领域，尤其涉及一种高性能的功率半导体扇出型芯片封装方法及采用该封装方法制备的扇出型芯片封装体。背景技术