半导体元件的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114156174A(43)申请公布日2022.03.08(21)申请号202110880396.3(22)申请日2021.08.02(30)优先权数据17/014,4322020.09.08US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人叶焕勇(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003代理人黄艳(51)Int.Cl.H01L21/308(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图34页(54)发明名称半导体元件的制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件的制备方法。该半导体元件的制备方法包括提供一目标层；形成一第一硬遮罩层在该目标层上；形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上；执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第一开口在沿着该第一硬遮罩并邻近所述第二硬遮罩层的各第一侧处；以及执行一第二倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第二开口在沿着该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第二侧处。该第一倾斜蚀刻制程与该第二倾斜蚀刻制程使用所述第二硬遮罩层当作图案引导件，且该第一硬遮罩层通过所述第一开口与所述第二开口而转变成一图案化第一硬遮罩层。CN114156174ACN114156174A权利要求书1/2页1.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一目标层；形成一第一硬遮罩层在该目标层上；形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上；执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第一开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第一侧处；以及执行一第二倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第二开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第二侧处；其中，该第一倾斜蚀刻制程与该第二倾斜蚀刻制程使用所述第二硬遮罩层当作图案引导件，且该第一硬遮罩层通过所述第一开口与所述第二开口而转变成一图案化第一硬遮罩层。2.如权利要求1所述的半导体元件的制备方法，其中所述第二硬遮罩层的一宽度对在相邻对的第二硬遮罩层之间的一水平距离的一比率，是大约为1∶2。3.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中该第一倾斜蚀刻制程的一入射角是介于大约10度到大约80度之间。4.如权利要求3所述的半导体元件的制备方法，其中该第二倾斜蚀刻制程的一入射角与该第一倾斜蚀刻制程的该入射角是相反，以及所述第一开口的一宽度等于所述第二开口的一宽度。5.如权利要求4所述的半导体元件的制备方法，其中所述第一开口的该宽度对在其中一第一开口与相邻的其中一第二开口之间的一水平距离的一比率，是大约为1∶2。6.如权利要求5所述的半导体元件的制备方法，还包括一步骤：移除所述第二硬遮罩。7.如权利要求6所述的半导体元件的制备方法，还包括一步骤：使用该图案化第一硬遮罩层当作一遮罩，以图案化该目标层。8.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中该目标层包含半导体材料。9.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中该目标层形成在一隔离层上，并包含半导体材料。10.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中该目标层包含导电材料。11.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中该目标层包含绝缘/隔离材料。12.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，还包括一步骤：形成该目标层在一蚀刻终止层上。13.如权利要求12所述的半导体元件的制备方法，其中该蚀刻终止层包含下列材料：掺碳的氧化物、并入碳的氧化硅或掺氮的碳化硅。14.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中该第一硬遮罩层包含下列材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅、氮化硼、氮化硅硼、氮化磷硼、氮化硼碳硅或一碳膜。15.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中所述第二硬遮罩层包含下列材料：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅、氮化硼、氮化硅硼、氮化磷硼、氮化硼碳硅或一碳膜。16.如权利要求7所述的半导体元件的制备方法，其中对于该第一倾斜蚀刻制程，所述2CN114156174A权利要求书2/2页第二硬遮罩层对该第一硬遮罩层的一蚀刻率，是介于大约1∶10到大约1∶100之间。17.如权利要求2所述的半导体元件的制备方法，其中所述第二硬遮罩层的该宽度对所述第二硬遮罩层的一高度的一比率，是介于大约1∶1到大约1∶12之间。18.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一目标层；形成一第一硬遮罩层在该目标层上；形成多个第二硬遮罩层在该第一硬遮罩层上；执行一第一倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第一开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第一侧处；执行一180度旋转至该目标层；以及执行一第三倾斜蚀刻制程在该第一硬遮罩层上，以形成多个第三开口在沿该第一硬遮罩层并邻近所述第二硬遮罩层的各第二侧