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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763407A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202210315552.6(22)申请日2022.03.28(30)优先权数据17/466,1022021.09.03US(71)申请人南亚科技股份有限公司地址中国台湾新北市(72)发明人蔡易廷饶瑞修(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003专利代理师黄艳(51)Int.Cl.H01L23/48(2006.01)H01L21/768(2006.01)H01L23/522(2006.01)H01L23/528(2006.01)权利要求书2页说明书17页附图32页(54)发明名称半导体元件及其制备方法(57)摘要本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底;置于该基底上方的一第一位元线结构,包括与一第一方向平行排列的一第一线部,以及与该第一线部的一第一端相连,并与该第一方向垂直的一第二方向平行排列的一第二线部;一第一位元线顶触区,包括置于该第一线部的该第一端上,并与该第一方向平行排列的一第一条部,以及与该第一条部的一第一端相连,置于该第二线部上,并与该第二方向平行排列的一第二条部;以及与该第一位元线顶触区电性耦合的一第一顶导电层。CN115763407ACN115763407A权利要求书1/2页1.一种半导体元件,包括:一基底;一第一位元线结构,置于该基底上方并包括:一第一线部,与一第一方向平行排列;以及一第二线部,与该第一线部的一第一端相连,并与垂直于该第一方向的一第二方向平行排列;一第一位元线顶触区,包括:一第一条部,置于该第一线部的该第一端上,并与该第一方向平行排列;以及一第二条部,与该第一条部的一第一端相连,置于该第二线部上,并与该第二方向平行排列;以及一第一顶导电层,与该第一位元线顶触区电性耦合。2.如权利要求1所述的半导体元件,更包括置于该基底中的一源极区;其中该第一位元线结构的该第一线部与该源极区电性耦合。3.如权利要求2所述的半导体元件,更包括一第二位元线结构,置于该第一位元线结构的同一垂直高度上,包括:一第一线部,与该第一位元线结构的该第一线部平行排列,并包括一第一端和一第二端;以及一第二线部,与该第二位元线结构的该第一线部的该第二端相连,并与该第一位元线结构的该第二线部平行排列,且置向该第一位元线结构的该第一线部;其中该第二位元线结构的该第一线部的该第一端置向该第一位元线结构的该第二线部,且该第二位元线结构的该第一线部的该第二端与该第二位元线结构的该第一线部的该第一端相对。4.如权利要求3所述的半导体元件,更包括一第二位元线顶触区,置于该第一位元线顶触区的同一垂直高度上,并包括:一第一条部,与该第一方向平行排列,置于该第二位元线结构的该第一线部的该第二端上,并包括一第一端和一第二端;以及一第二条部,与该第二位元线顶触区的该第一条部的该第二端相连,置于该第二位元线结构的该第二线部上,并与该第一位元线结构的该第二线部平行排列;其中该第二位元线顶触区的该第一条部的该第一端置向该第一位元线顶触区的该第二条部,且该第二位元线顶触区的该第一条部的该第二端与该第二位元线顶触区的该第一条部的该第一端相对。5.如权利要求4所述的半导体元件,更包括一第二顶导电层,以与该第二位元线顶触区电性耦合。6.如权利要求3所述的半导体元件,更包括一第三线部,该第三线部与该第一位元线结构的该第二线部相连,与该第二位元线结构的该第一线部对齐,并置向该第二位元线结构的该第一线部。7.如权利要求6所述的半导体元件,更包括一第三条部,该第三条部与该第一位元线顶触区的该第二条部相连,并置于该第一位元线结构的该第三线部上。8.如权利要求5所述的半导体元件,更包括一第三线部,该第三线部与该第二位元线结2CN115763407A权利要求书2/2页构的该第二线部相连,与该第一位元线结构的该第一线部对齐,并置向该第一位元线结构的该第一线部。9.如权利要求8所述的半导体元件,更包括一第三条部,该第三条部与该第二位元线顶触区的该第二条部相连,并置于该第二位元线结构的该第三线部上。10.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一位元线顶触区的该第一条部的一宽度大于该第一位元线结构的该第一线部的一宽度。11.如权利要求2所述的半导体元件,其中该第一位元线顶触区的该第二条部的一宽度大于该第一位元线结构的该第二线部的一宽度。12.如权利要求9所述的半导体元件,其中该第一位元线结构的该第三线部在一俯视角度下被该第一位元线顶触区的该第三条部完全覆盖。13.如权利要求5所述的半导体元件,其中该第二位元线顶触区的该第一条部的一宽度大于该第二位元线结构的该第一线部的一宽度。14.如权利要求5所述的半导体元件,其中该第二位元线