一种信号交叉电路结构及集成电路.pdf
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相关资料
一种信号交叉电路结构及集成电路.pdf
本发明公开了一种信号交叉电路结构及集成电路。一种信号交叉电路结构,其包括不同层且相交的至少两路人工表面等离激元传输线,相交夹角为30°以上,相邻层的人工表面等离激元传输线之间设有介质层。本发明人巧妙地利用人工表面等离激元本身对电磁场能量约束力强的特点,从而减弱走线交叉时的信号耦合,实现多通道信号无影响交叉通过的目的。同时,由于设计原理简单,不需要专业的计算和设计,非常利于推广使用。再者,由于该发明对交叉信号通路夹角要求很低(≥30°),因此可以同时容纳更多信号通路的无影响交叉,有助于更大限度的提升集成电路
用于集成电路器件的交叉耦合结构.pdf
提供了交叉耦合结构。交叉耦合结构可以包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管可以在第一方向上彼此间隔开,第三晶体管和第二晶体管可以在垂直于第一方向的第二方向上堆叠。第三晶体管和第二晶体管可以包括公共栅极结构,公共栅极结构的第一部分可以是第二晶体管的栅极结构,公共栅极结构的第二部分可以是第三晶体管的栅极结构。
一种集成电路封装结构.pdf
本发明涉及一种集成电路封装结构,包括集成电路本体芯片;所述集成电路本体芯片底部靠近右侧的位置焊接有第一弹性凸点,所述集成电路本体芯片顶部靠近左侧的位置焊接有第二弹性凸点;所述第一弹性凸点和第一引脚结合,所述第二弹性凸点和第二引脚结合;在所述集成电路本体芯片的底部靠近左侧的位置连接预定位支撑架,所述预定位支撑架和第二引脚相连;树脂封装结构将第一弹性凸点和第一引脚封装在一起,同时将第二弹性凸点和第二引脚结合;在树脂封装结构的顶部两侧设置有侧面凸起;在所述树脂封装结构的顶部设置有导热复合层。本发明封装结构芯片和
集成电路结构及制造集成电路结构的方法.pdf
本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底;形成在半导体衬底上的互连结构;以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层;设置在阻挡层上的扩散层,其中,扩散层包括金属和氧;以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。
集成电路结构.pdf
本发明公开一种集成电路结构,包括一基底;一沟道层,位于基底上方,其中沟道层由一第一三五族化合物半导体材料所构成;一高掺杂半导体层,位于沟道层上方;一栅极介电层,穿过并接触高掺杂半导体层的一侧壁;以及一栅极电极,位于栅极介电层的一底部。栅极介电层包括一侧壁部位于栅极电极的一侧壁上。本发明公开的集成电路结构能够降低源极和漏极的电阻并且增加晶体管的导通电流。