集成电路结构及制造集成电路结构的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763425A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211627242.4H01L23/522(2006.01)(22)申请日2018.06.07H01L23/538(2006.01)H01L21/48(2006.01)(30)优先权数据15/937,3392018.03.27US(62)分案原申请数据201810582909.02018.06.07(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人毕诗伟叶昇韦陈彦羽郑文豪林志威林群智(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409专利代理师章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L23/528(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图13页(54)发明名称集成电路结构及制造集成电路结构的方法(57)摘要本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。CN115763425ACN115763425A权利要求书1/2页1.一种集成电路结构，包括：半导体衬底；互连结构，形成在所述半导体衬底上并且具有顶部金属部件；钝化层，位于所述互连结构上并且具有暴露所述顶部金属部件的开口；以及再分布层金属部件，形成在所述钝化层中，其中，所述再分布层金属部件落在所述顶部金属部件上并且还包括：阻挡层，在所述开口内延伸并且设置在所述顶部金属部件上；扩散层，设置在所述阻挡层上和所述开口内；以及金属层，设置在所述扩散层上和所述开口内，所述金属层的上表面具有位于所述开口上方的凹部，所述钝化层填充所述凹部，其中，所述金属层包含通过大于300℃的热沉积形成金属挤出的第一金属，所述阻挡层包括第二金属，所述扩散层包括所述第一金属和所述第二金属。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述再分布层金属部件通过所述阻挡层和所述扩散层电连接至所述互连结构的顶部金属线。3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述扩散层包括在5埃和30埃之间的范围内的厚度。4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述扩散层具有从所述扩散层的顶面至底面的渐变的氧浓度，其中，在所述顶面处具有大于35％的最大氧浓度。5.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中：所述阻挡层包括钽膜和位于所述钽膜上的氮化钽膜，所述第二金属为钽。6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中：所述金属层包括的所述第一金属为铝；以及所述扩散层包括铝、钽、氧和氮。7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一金属为铝，所述金属层包括多晶结构的铝，其中，颗粒尺寸在5微米和20微米之间的范围内。8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一金属为铝，所述金属层包括多晶结构的铝，其中，颗粒尺寸的多于50％的多晶颗粒大于1微米。9.一种集成电路结构，包括：半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底上的集成电路器件；互连结构，形成在所述半导体衬底上，其中，所述互连结构包括连接至所述集成电路器件的多个导电部件，所述多个导电部件包括顶部导电部件；钝化层，位于所述互连结构上并且具有暴露所述顶部导电部件的开口；以及再分布层金属部件，形成在所述互连结构上并且落在所述顶部导电部件上，其中，所述再分布层金属部件还包括：阻挡层，在所述开口内延伸并且设置在所述顶部导电部件上；扩散层，设置在所述阻挡层上和所述开口内，其中，所述扩散层是非晶结构的金属氧化物；以及金属层，设置在所述扩散层上和所述开口内，其中，所述再分布层金属部件通过所述阻挡层和所述扩散层电连接至所述导电部件，所述金属层的上表面具有位于所述开口上方的2CN115763425A权利要求书2/2页凹部，所述钝化层填充所述凹部，所述金属层包含通过大于300℃的热沉积形成金属挤出的第一金属，所述阻挡层包括第二金属，所述扩散层包括所述第一金属和所述第二金属。10.一种制造集成电路结构的方法，包括：在半导体衬底上形成集成电路器件；在所述半导体衬底上形成互连结构，其中，所述互连结构包括与所述集成电路器件连接的多个导电部件；在所述互连结构上形成第一钝化层，其中，所述第一钝化层包括暴露所述多个导电部件的顶部导电部件的第一开口；在所述第一钝化层上和位于所述第一开口内的所述顶部导电部件上沉积阻挡层；对所述阻挡层实施氧气处理以形成扩散层；在所述扩散层上和所述第一开口内在大于300℃的沉积温度下沉积金属层，所述金属层包含通过大于300℃的所述沉