用于集成电路器件的交叉耦合结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115911046A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202210954302.7(22)申请日2022.08.10(30)优先权数据63/232,6792021.08.13US17/503,4862021.10.18US(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道(72)发明人李昇映朴玺韩(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105专利代理师程丹辰(51)Int.Cl.H01L27/092(2006.01)H01L27/02(2006.01)权利要求书3页说明书8页附图12页(54)发明名称用于集成电路器件的交叉耦合结构(57)摘要提供了交叉耦合结构。交叉耦合结构可以包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第四晶体管可以在第一方向上彼此间隔开，第三晶体管和第二晶体管可以在垂直于第一方向的第二方向上堆叠。第三晶体管和第二晶体管可以包括公共栅极结构，公共栅极结构的第一部分可以是第二晶体管的栅极结构，公共栅极结构的第二部分可以是第三晶体管的栅极结构。CN115911046ACN115911046A权利要求书1/3页1.一种交叉耦合结构，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；以及第四晶体管，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第四晶体管在第一方向上彼此间隔开，所述第三晶体管和所述第二晶体管在垂直于所述第一方向的第二方向上堆叠，以及所述第三晶体管和所述第二晶体管包括公共栅极结构，所述公共栅极结构的第一部分是所述第二晶体管的栅极结构，所述公共栅极结构的第二部分是所述第三晶体管的栅极结构。2.根据权利要求1所述的交叉耦合结构，其中所述第一晶体管包括第一栅极结构，所述第四晶体管包括第四栅极结构，以及所述交叉耦合结构还包括在所述第一方向上延伸的第一导电布线，所述第一栅极结构和所述第四栅极结构电连接到所述第一导电布线。3.根据权利要求1所述的交叉耦合结构，其中所述第一晶体管包括：第一栅极结构；分别与所述第一栅极结构的相反的侧表面相邻的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；以及分别与所述第一栅极结构的所述相反的侧表面相邻的第三源极/漏极区和第四源极/漏极区，其中所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区彼此电连接并在所述第二方向上与所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区间隔开。4.根据权利要求3所述的交叉耦合结构，其中所述交叉耦合结构还包括第一导电接触结构，所述第一导电接触结构在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区重叠，以及所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区电连接到所述第一导电接触结构。5.根据权利要求4所述的交叉耦合结构，其中所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区中的每个包括第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反并在所述第三方向上与所述第一表面间隔开，以及所述第一导电接触结构接触所述第三源极/漏极区的所述第一表面和所述第四源极/漏极区的所述第一表面。6.根据权利要求3所述的交叉耦合结构，其中所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区中的每个包括第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相反并在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上与所述第一表面间隔开，以及其中所述交叉耦合结构还包括：侧接触结构，分别接触所述第三源极/漏极区的所述第一表面和所述第四源极/漏极区的所述第一表面；以及第二导电接触结构，在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上与所述侧接触结构间隔开，其中所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区通过所述侧接触结构电连接到所述第二导电接触结构。2CN115911046A权利要求书2/3页7.根据权利要求3所述的交叉耦合结构，其中所述交叉耦合结构还包括在所述第一方向上延伸的第二导电布线，所述第三源极/漏极区和所述第四源极/漏极区电连接到所述第二导电布线。8.根据权利要求7所述的交叉耦合结构，其中所述第三源极/漏极区在所述第一源极/漏极区和所述第二导电布线之间。9.根据权利要求7所述的交叉耦合结构，其中所述第四晶体管包括：第四栅极结构；分别与所述第四栅极结构的相反的侧表面相邻的第五源极/漏极区和第六源极/漏极区；以及分别与所述第四栅极结构的所述相反的侧表面相邻的第七源极/漏极区和第八源极/漏极区，其中所述第七源极/漏极区和所述第八源极/漏极区在所述第二方向上与所述第五源极/漏极区和所述第六源极/漏极区间隔开，其中所述交叉耦合结构还包括第三导电布线，所述第三导电布线在所述第一方向延伸并电连接到所述第五源极/漏极区和所述第六源极/漏极区，以及其中所述第二导电布线和所述第三导电布线中的每个包括第三表面和第四表面，所述第四表面与所述第三