一种芯片散热装置、芯片模块和电子设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114252964A(43)申请公布日2022.03.29(21)申请号202111462638.3(22)申请日2021.12.02(71)申请人昂纳信息技术（深圳）有限公司地址518000广东省深圳市坪山新区翠景路35号(72)发明人苏樊城(74)专利代理机构深圳市道臻知识产权代理有限公司44360代理人陈琳(51)Int.Cl.G02B6/42(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种芯片散热装置、芯片模块和电子设备(57)摘要本发明实施例公开了一种芯片散热装置和功能模块和电子设备。芯片散热装置，应用于芯片模组，芯片模组设置于壳体内，芯片散热装置包括：记忆合金导热片，记忆合金导热片的一端固定于壳体面对芯片模组的一面；记忆合金导热片在环境温度高于或等于目标温度时处于舒张状态，在环境温度低于目标温度时处于收缩状态，当记忆合金导热片处于舒张状态时，记忆合金导热片的另一端与芯片模组的散热区域接触，用于将芯片模组运行时产生的热量传导至壳体；当记忆合金导热片处于收缩状态时，记忆合金导热片的另一端不与芯片的散热区域接触。本发明能够有效提升芯片模组低温性能，避免资源浪费，降低功耗，节约成本。CN114252964ACN114252964A权利要求书1/1页1.一种芯片散热装置，其特征在于，应用于芯片模组，所述芯片模组设置于壳体内，所述芯片散热装置包括：记忆合金导热片，所述记忆合金导热片的一端固定于所述壳体面对所述芯片模组的一面；所述记忆合金导热片在环境温度高于或等于目标温度时处于舒张状态，在环境温度低于所述目标温度时处于收缩状态，当所述记忆合金导热片处于所述舒张状态时，所述记忆合金导热片的另一端与所述芯片模组的散热区域接触，用于将所述芯片模组运行时产生的热量传导至所述壳体；当所述记忆合金导热片处于所述收缩状态时，所述记忆合金导热片的另一端不与所述芯片的所述散热区域接触。2.根据权利要求1所述的芯片散热装置，其特征在于，所述芯片模组安装于电路板的表面，所述记忆合金导热片处于所述舒张状态时，所述记忆合金导热片的所述另一端与所述电路板的接触区域接触，所述接触区域为所述电路板未安装所述芯片的表面的对应于所述芯片安装位置的区域，将所述接触区域作为所述芯片模组的散热区域。3.根据权利要求2所述的芯片散热装置，其特征在于，所述芯片散热装置还包括：导热垫片，设置于所述接触区域，所述记忆合金导热片处于所述舒张状态时，所述记忆合金导热片的所述另一端与所述导热垫片接触。4.根据权利要求2所述的芯片散热装置，其特征在于，所述芯片散热装置还包括：金属热沉，所述金属热沉的一端位于所述芯片模组靠近所述电路板的一面，所述金属热沉的另一端穿过所述电路板，设置于所述接触区域。5.根据权利要求4所述的芯片散热装置，其他特征在于，所述金属热沉包括金属块和金属导孔中的任意一种。6.一种芯片模块，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1‑5中任一项所述的芯片散热装置；芯片模组；壳体，所述芯片模组和所述至少一个芯片散热装置设置于所述壳体内。7.根据权利要求6所述的芯片模块，其他特征在于，所述芯片模组设置于电路板上，所述电路板与所述壳体存在至少一个面型接触点。8.根据权利要求6所述的芯片模块，其他特征在于，所述芯片模组包括以金线连接的目标芯片和驱动芯片，所述驱动芯片用于驱动所述目标芯片运行。9.根据权利要求8所述的芯片模块，其他特征在于，所述芯片散热装置中的金属热沉位于所述电路板中对应于所述目标芯片的位置。10.一种电子设备，其他特征在于，包括至少一个如权利要求1‑5中任一项所述的芯片散热装置和/或至少一个如权利要求6‑9中任一项所述的芯片模块。2CN114252964A说明书1/5页一种芯片散热装置、芯片模块和电子设备技术领域[0001]本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片散热装置和功能模块和电子设备。背景技术[0002]光模块中高速VCSEL(Vercal‑cavitySuace‑emittingLaser，垂直腔面发射器)芯片的应用环境温度为0～80度，极少数可以支持到‑20度应用。当VCSEL芯片处于高温状态时，需要及时散热，以保护芯片，当环境温度过低时低于VCSEL工作温度，将影响VCSEL性能以至于使得VCSEL失效，为确保VCSEL在低温下维持工作性能，针对VCSEL芯片设置散热模块，当前是可以使用TEC(ThermoElectricCooler，半导体制冷器)或加热电路，在处于环境温度极低的情况下，TEC或加热电路工作提升VCSEL温度保证性能，这将导致模块功耗和成本的提升。发明内容[0003]有鉴于此，本发明提供了一种芯片散热装置、功能模块和电子设备，用于提升