多芯片封装方法和多芯片模块.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939100A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211493691.4(22)申请日2022.11.25(71)申请人无锡芯光互连技术研究院有限公司地址214000江苏省无锡市锡山区安镇街道兖矿信达大厦A栋802(72)发明人方勤学郝沁汾(74)专利代理机构杭州华知专利事务所(普通合伙)33235专利代理师杨秀芳(51)Int.Cl.H01L23/538(2006.01)H01L23/498(2006.01)H01L25/075(2006.01)H01L25/04(2023.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称多芯片封装方法和多芯片模块(57)摘要本申请提供一种多芯片封装方法及多芯片模块。包括刻蚀再布线层，在再布线层上制作具有多级台阶结构的凹槽结构，每一级台阶结构用于设置一个或多个芯片；将第一芯片的安装面粘贴在第一级台阶结构上，将第二芯片的安装面粘贴在第二级台阶结构上，使第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间的高度差在预设范围内；将第一芯片、第二芯片分别与再布线层进行引线键合；将第一芯片和第二芯片设置于保护外壳与具有多级台阶结构的凹槽结构构成的空腔内；对再布线层进行塑封和对载板上的焊盘进行植球，得到封装好的多芯片部件；再布线层安装在载板上。以此可以更便捷更准确的实现多芯片的对准。CN115939100ACN115939100A权利要求书1/2页1.一种多芯片封装方法，其特征在于，应用于多芯片模块的封装，所述多芯片模块至少包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片均具有安装面，所述第一芯片的特定区域和安装面的距离与所述第二芯片上的特定区域和安装面的距离不同，所述方法包括：刻蚀再布线层，在再布线层上制作具有多级台阶结构的凹槽结构，每一级台阶结构用于设置一个或多个芯片，所述多级台阶结构至少包括第一级台阶结构和第二级台阶结构；将所述第一芯片的安装面粘贴在所述第一级台阶结构上，将所述第二芯片的安装面粘贴在所述第二级台阶结构上，使所述第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间的高度差在预设范围内；将所述第一芯片、所述第二芯片分别与所述再布线层进行引线键合；将保护外壳安装在所述具有多级台阶结构的凹槽结构内，所述第一芯片和所述第二芯片设置于所述保护外壳与所述具有多级台阶结构的凹槽结构构成的空腔内；对再布线层进行塑封和对载板上的焊盘进行植球，得到封装好的多芯片部件；所述再布线层安装在所述载板上。2.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述刻蚀再布线层，在再布线层上制作具有多级台阶结构的凹槽结构，包括：通过多阶段刻蚀再布线层，在再布线层上刻蚀出具有多级台阶结构的凹槽结构；或者，通过刻蚀再布线层，在再布线层上刻蚀出底面为平面的凹槽结构；在所述底面为平面的凹槽结构中设置假片，得到具有多级台阶结构的凹槽结构。3.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，通过具有多级台阶结构的凹槽结构中的台阶结构对所述第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间进行第一次对准，使所述第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间的高度差在第一预设范围内；通过胶粘对所述第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间进行第二次对准，使所述第一芯片上的特定区域与第二芯片上的特定区域之间的高度差在第二预设范围内，所述第一预设范围大于所述第二预设范围。4.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述载板上对应于所述具有多级台阶结构的凹槽结构的区域设置有散热结构。5.根据权利要求1所述的多芯片封装方法，其特征在于，所述第一芯片为电芯片、光芯片或光器件；所述第二芯片为电芯片、光芯片或光器件。6.一种多芯片模块，其特征在于，包括：载板、再布线层、多个芯片、塑封结构以及保护外壳，所述多个芯片至少包括第一芯片和第二芯片；所述再布线层安装在所述载板上；所述再布线层包括具有多级台阶结构的凹槽结构，每一级台阶结构用于设置一个或多个芯片，所述多级台阶结构至少包括第一级台阶结构和第二级台阶结构；所述第一芯片和所述第二芯片均具有安装面，所述第一芯片的特定区域和安装面的距离与所述第二芯片上的特定区域和安装面的距离不同；所述第一芯片的安装面粘贴在所述第一级台阶结构上，所述第二芯片的安装面粘贴在所述第二级台阶结构上，所述第一芯片上的特定区域与所述第二芯片上的特定区域之间的高度差在预设范围内；2CN115939100A权利要求书2/2页所述第一芯片、所述第二芯片分别与所述再布线层的金属层通过引线键合；所述金属层与所述载板的焊盘连接；所述保护外壳安装在所述具有多级台阶结构的凹槽结构内，所述保护外壳与所述具有多级台阶结