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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114334780A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111638223.7(22)申请日2021.12.29(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人陆骅俊肖军城徐洪远(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人杨艇要(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L25/075(2006.01)G09F9/33(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图5页(54)发明名称LED面板的制备方法(57)摘要本申请实施例公开了一种LED面板的制备方法,包括在光阻层上形成胶层,所述光阻层包括相连的多个第一部分和多个第二部分;在所述胶层对应于所述第一部分的区域上设置LED器件;至少软化所述光阻层的第二部分,形成LED转移基板;转移所述LED转移基板与目标基板对位,并使所述LED器件固定在所述目标基板上。本申请实施例采用光阻层作为LED转移基板的柔性衬底,并通过软化对应于非LED器件区域的光阻层的第二部分,提高了转移基板的柔性,以提高LED转移基板的适用范围。CN114334780ACN114334780A权利要求书1/2页1.一种LED面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在光阻层上形成胶层,所述光阻层包括相连的多个第一部分和多个第二部分;在所述胶层对应于所述第一部分的区域上设置LED器件;至少软化所述光阻层的第二部分,形成LED转移基板;转移所述LED转移基板与目标基板对位,并使所述LED器件固定在所述目标基板上。2.根据权利要求1所述的LED面板的制备方法,其特征在于,至少软化所述光阻层的第二部分,包括以下步骤:获取所述LED器件的分布图像;根据所述图像,控制显示器显示画面,以照射所述光阻层;所述画面包括第一画面和第二画面,所述第一画面对应于所述第一部分,所述第二画面对应于所述第二部分;所述第二画面的发光亮度大于所述第一画面的发光亮度;至少所述光阻层的第二部分软化。3.根据权利要求2所述的LED面板的制备方法,其特征在于,所述第一画面为黑色画面,所述第二画面为非黑色画面。4.根据权利要求2所述的LED面板的制备方法,其特征在于,所述第一画面和所述第二画面均为非黑色画面,所述第一部分的软化深度小于所述第二部分的软化深度。5.根据权利要求2所述的LED面板的制备方法,其特征在于,所述图像包括所述第一部分和所述第二部分各自的位置信号和尺寸信息。6.根据权利要求1所述的LED面板的制备方法,其特征在于,至少软化所述光阻层的第二部分,包括以下步骤:遮挡所述光阻层的第一部分,并裸露所述光阻层的第二部分;光照所述光阻层,使所述光阻层的第二部分软化。7.根据权利要求6所述的LED面板的制备方法,其特征在于,在所述遮挡所述光阻层的第一部分的步骤中:采用掩模板遮挡所述光阻层,所述掩模板的开口对应于所述光阻层的第二部分,所述掩模板的遮光部遮挡所述光阻层的第一部分。8.根据权利要求6所述的LED面板的制备方法,其特征在于,在所述遮挡所述光阻层的第一部分的步骤中:在所述光阻层背向所述胶层的一面形成图案化的遮光层,所述遮光层遮挡所述光阻层的第一部分。9.根据权利要求1所述的LED面板的制备方法,其特征在于,至少软化所述光阻层的第二部分,包括以下步骤:采用掩模板遮挡所述光阻层,掩模板包括第一透光单元和第二透光单元,所述第一透光单元的透光率大于所述第二透光单元的透光率,所述第二透光单元的透光率大于0;所述第一透光单元对应于所述光阻层的第二部分,所述第二透光单元对应于所述光阻层的第一部分;光照所述光阻层,使所述光阻层的第二部分软化,所述光阻层的第一部分靠近所述掩模板的一侧软化,所述第一部分的软化深度小于所述第二部分的软化深度。10.根据权利要求1所述的LED面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括以下2CN114334780A权利要求书2/2页步骤:剥离所述胶层和所述光阻层。3CN114334780A说明书1/5页LED面板的制备方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种LED面板的制备方法。背景技术[0002]微型发光二极管(Micro‑LED)是将传统发光二极管(LightEmittingDiode,LED)结构进行微小化和矩阵化,并采用集成电路工艺制成待转基板,将Micro‑LED通过巨量转移技术转移至待转基板上,来实现每一个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。[0003]在对现有技术的研究和实践过程中,本申请的发明人发现,在进行巨量转移的过程中,一般采用玻璃基板等硬质基板作为微型发光二极管转移基板,但硬质的转移基板不易弯曲