LED面板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112669720A(43)申请公布日2021.04.16(21)申请号202110033665.2(22)申请日2021.01.12(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人孙正娟孙世英王彬(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人杨艇要(51)Int.Cl.G09F9/33(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称LED面板及其制备方法(57)摘要本申请实施例公开了一种LED面板及其制备方法，在LED面板中，第一金属层包括第一走线；第二金属层包括第二走线；钝化层上开设有开口；反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，第一反射部设置在第一走线和第二走线的交叠区域，第二反射部围设在开口的周侧。本申请通过保留对应于第一走线和第二走线的交叠区域的第一反射部和对应于开口周围的第二反射部，减少反射层的覆盖面积，进而达到减低基板的翘曲程度。CN112669720ACN112669720A权利要求书1/2页1.一种LED面板，其特征在于，包括：基板；第一金属层，所述第一金属层设置在所述基板上，所述第一金属层包括第一走线；绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一金属层上；第二金属层，所述第二金属层设置在所述绝缘层上，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；钝化层，所述钝化层设置在所述第二金属层上，所述钝化层上开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；反射层，所述反射层设置在所述钝化层上，所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；以及LED芯片，所述LED芯片设置在所述导电垫上并电性连接于所述导电垫。2.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述第一走线包括扫描线，所述第二走线包括数据线和电源线。3.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述反射层的材料包括白油。4.根据权利要求1所述的LED面板，其特征在于，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。5.一种LED面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一走线；在所述第一金属层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第二金属层，所述第二金属层包括第二走线和导电垫；在所述第二金属层上形成钝化层，所述钝化层开设有开口，所述开口裸露出所述导电垫；在所述钝化层上形成反射层；所述反射层包括多个第一反射部和多个第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部间隔设置，所述第一反射部设置在所述第一走线和所述第二走线的交叠区域，所述第二反射部围设在所述开口的周侧；将LED芯片设置在所述导电垫上，所述LED芯片电连接于所述导电垫。6.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述反射层的材料包括白油；在所述钝化层上形成反射层，包括以下步骤：采用丝印工艺或喷印工艺在所述钝化层对应于所述第一走线和所述第二走线的交叠区域上形成所述第一反射部；在所述钝化层对应于所述开口的周围区域上形成所述第二反射部。7.根据权利要求6所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述第一反射部的至少部分设置在所述交叠区域内。8.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成绝缘层，包括以下步骤：采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第一金属层上形成绝缘层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。9.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，在所述第二金属层上形成2CN112669720A权利要求书2/2页钝化层，包括以下步骤：采用SiH4和NH3作为反应气体，在所述第二金属层上形成钝化层；SiH4/NH3的比例介于1/5至1/9之间。10.根据权利要求5所述的LED面板的制备方法，其特征在于，所述第一走线包括扫描线和公共电极线，所述第二走线包括数据线和电源线。3CN112669720A说明书1/6页LED面板及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种LED面板及其制备方法。背景技术[0002]在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，发光二极管(LightEmittingDiode，LED)面板的制程中，一般采用玻璃基板制作驱动电路，因玻璃基板和各膜层的热膨胀系数或收缩系数不同，导致基板存在翘曲的问题。具体的，一是在驱动电路的制程中，SiNx膜层的膨胀系数大于玻璃，在高温成膜恢复到室温过程中，膜层收缩量相对玻璃更大，造成张应力致使玻璃基板翘曲；二是在白油制程中，白油为树脂型材料，在白油固化时