显示面板的制备方法及显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110854133A(43)申请公布日2020.02.28(21)申请号201911028011.X(22)申请日2019.10.28(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人谢华飞(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人黄灵飞(51)Int.Cl.H01L27/12(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称显示面板的制备方法及显示面板(57)摘要本发明提供了一种显示面板的制备方法及显示面板，在显示面板正面制程完成时，引入了保护层、牺牲层、平坦化层以及钝化层的结构作为保护膜，该保护膜膜层结构设计不会对CVD、PVD等真空设备造成污染，以及具有硬性耐磨特性，该膜层不会残留在传输机台上，因此不会干扰到背面制程。同时常规CVD和涂布机台成膜时，膜层表面平坦度有利于传送吸附，可通过激光及干刻完整的去除保护膜，该工艺方法可有效实现单玻璃的双面制程。CN110854133ACN110854133A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供一阵列基板；在阵列基板正面沉积一保护层于所述阵列基板上；沉积一牺牲层于所述保护层上；涂布一平坦化层于所述牺牲层上；沉积一钝化层于所述平坦化层上；翻转所述阵列基板；沉积并图案化一金属线于所述阵列基板远离所述电极保护层的一侧；沉积一介质层于所述阵列基板远离所述电极保护层的一侧且包覆所述金属线；形成一透明电极于所述介质层远离所述阵列基板的一侧，所述透明电极连接所述金属线；涂布一光刻胶于所述介质层远离所述阵列基板的一侧且覆盖所述透明电极；再次翻转所述阵列基板；去除所述钝化层、所述平坦化层、所述牺牲层、所述电极保护层以及所述光刻胶。2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述电极保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氢化非晶硅。4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述平坦化层的材料包括耐高温的聚酰亚胺、硅胶或压克力。5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化铝或二氧化铪。7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述的沉积一介质层于所述阵列基板远离所述电极保护层的一侧且包覆所述金属线的步骤之后：还包括：形成一通孔于所述介质层中，所述通孔贯穿所述介质层直至所述金属线表面，所述透明电极通过所述通孔连接所述金属线。8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述的去除所述钝化层、所述平坦化层、所述保护层、所述电极保护层以及所述光刻胶的步骤中，通过激光剥离方式去除所述钝化层以及所述平坦化层；通过干法蚀刻的方式去除所述牺牲层以及所述电极保护层；通过浸泡剥离液的方式去除所述光刻胶。9.一种采用如权利要求1～8任一项所述的显示面板的制备方法制备的显示面板。10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，设于所述基板的一侧；2CN110854133A权利要求书2/2页像素电极，设于所述薄膜晶体管上，所述像素电极连接所述薄膜晶体管漏极；金属线，设于所述阵列基板的背面；介质层，设于所述金属线上且贴附所述阵列基板的背面；透明电极，设于所述介质层上且连接所述金属线。3CN110854133A说明书1/4页显示面板的制备方法及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是一种显示面板的制备方法及显示面板。背景技术[0002]液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)是把液晶封装在阵列基板和彩膜基板间，控制每个像素的通电，来使液晶发生偏转控制背光通过实现画面显示。由于液晶的封装需要边框框胶，所以LCD在无边框及拼接显示上具有一定的局限性。相比LCD，OLED和microled显示通过面板自发光技术，不需要背光及上下基板封装，理论上可做到无边框显示及无缝拼接显示。[0003]有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)和MicroLed虽然无需边框进行封装，但基于驱动需求，在显示区域外围需布置走线及绑定的位置，这样同样会在面板上出现显示区域外的面积，从而不能实现无边框显示及无缝拼接。玻璃双面制程是将面板显示区域外的走线、绑定区的位置等集成到显示面板背部的技术，可有效实现全面屏显示