一种红光LED组件、显示面板及制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114256399A(43)申请公布日2022.03.29(21)申请号202011013915.8G09F9/33(2006.01)(22)申请日2020.09.24(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人翟峰萧俊龙(74)专利代理机构深圳鼎合诚知识产权代理有限公司44281代理人李发兵(51)Int.Cl.H01L33/44(2010.01)H01L33/56(2010.01)H01L33/62(2010.01)H01L33/00(2010.01)H01L21/683(2006.01)权利要求书2页说明书13页附图9页(54)发明名称一种红光LED组件、显示面板及制备方法(57)摘要本发明涉及一种红光LED芯片、显示面板及制备方法。红光LED芯片组件包括绝缘基板以及设置在该绝缘基板上的多颗红光LED芯片。红光LED芯片与绝缘基板之间通过热释放胶层粘接。在剥离绝缘基板时，只要让热释放胶层吸收热量失效即可，不需要再采用激光分解BCB胶层，电流扩展层自然也就不会因为激光能量而受损。在此基础上，不需要增大电流扩展层的厚度，有利于保证电极与电流扩展层间连接的可靠性，进而提升红光LED芯片的品质。而且，避免了激光分解BCB胶层不彻底，从而导致的红光LED芯片上遗留残胶的问题，提升了红光LED芯片的显示效果，进一步增强了红光LED芯片的品质。CN114256399ACN114256399A权利要求书1/2页1.一种红光LED芯片组件，其特征在于，包括：绝缘基板；设置在所述绝缘基板上的多颗红光LED芯片；以及用于粘接所述绝缘基板与所述红光LED芯片的热释放胶层；所述红光LED芯片包括与所述热释放胶层接触的电流扩展层，位于所述电流扩展层上的红光外延层以及分别与所述红光外延层中两个半导体层电连接的电极；所述热释放胶层用于在将所述红光外延层自生长基板转移至所述绝缘基板的过程中实现所述电流扩展层与所述绝缘基板的结合。2.如权利要求1所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述红光LED芯片组件还包括包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。3.如权利要求2所述的红光LED芯片组件，其特征在于，所述绝缘保护层包覆所述热释放胶层的侧面，并与所述绝缘基板接触。4.一种红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：提供一生长基板，以及形成于所述生长基板表面的红光外延层；在所述红光外延层上设置一电流扩展层；透过一热释放胶层将所述电流扩展层与一绝缘基板粘合；去除所述生长基板，以实现所述红光外延层从所述生长基板转移至所述绝缘基板；在所述红光外延层上设置电极，以形成包括红光LED芯片的红光LED芯片组件。5.如权利要求4所述的红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述在所述红光外延层上设置电极之前还包括：在所述红光外延层上设置包覆所述红光外延层的绝缘保护层，所述绝缘保护层与所述热释放胶层一起对所述红光外延层与所述电流扩展层形成包裹；图案化所述绝缘保护层以外露出电极设置区；或，所述在所述红光外延层上设置电极之后还包括：形成包覆所述红光LED芯片的绝缘保护层，所述红光LED芯片的电极的部分区域外露于所述绝缘保护层。6.如权利要求4或5所述的红光LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述透过一热释放胶层将所述电流扩展层与绝缘基板粘合的步骤包括以下几种中的任意一种：方式一：在所述电流扩展层上设置热释放胶层；透过所述热释放胶层将所述绝缘基板粘接在所述电流扩展层上；方式二：在所述绝缘基板上设置热释放胶层；采用热释放胶层远离所述绝缘基板的一面粘接所述电流扩展层；方式三：在所述电流扩展层上设置第一热释放胶层，并在所述绝缘基板上设置第二热释放胶层；2CN114256399A权利要求书2/2页粘接所述第一热释放胶层与所述第二热释放胶层。7.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：采用如权利要求4-6任一项所述的红光LED芯片组件制备方法制备红光LED芯片组件；其中，所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的排布满足驱动背板上红光LED芯片的部署要求；将所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接；在所述热释放胶层受热失效后，去除所述绝缘基板与失效的所述热释放胶层。8.如权利要求7所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述将所述红光LED芯片组件中各红光LED芯片的电极与驱动背板上的焊点进行焊接包括：采用高于所述热释放胶层失效温度的焊接温度焊接所述电极与所述焊点。9.如权利要求7或8所述的显示面板制备方法，其特征在于，若所述红光LED芯片中包括绝缘保护层，且