LED芯片的固晶方法及LED面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114420717A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202210038727.3(22)申请日2022.01.13(71)申请人TCL华星光电技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号(72)发明人黄秀洪(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人王胜男(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/54(2010.01)H01L33/62(2010.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称LED芯片的固晶方法及LED面板(57)摘要本申请实施例公开了一种LED芯片的固晶方法及LED面板，固晶方法包括：S10，将包括多个焊盘的阵列基板置于第一腔体内；S20，将胶黏剂涂布于焊盘上，胶黏剂包括胶水和分散于所述胶水中的导电粒子；S30，将LED芯片置于涂布有胶黏剂的焊盘上；S40，压缩胶黏剂以使得导电粒子之间在阵列基板的厚度方向上导通；S50，固化胶黏剂。本发明实施例提供的LED芯片的固晶方法，通过将导电粒子分散于胶水中，替代现有技术的锡膏，来实现LED芯片的固晶，一方面可规避锡膏回流焊的高温制程，降低对LED芯片和阵列基板选用材料的耐高温要求，减小高温制程残留的热应力影响，另一方面可根据不同应用要求，来选择不同的胶水材料，在选材上具有多样化，工艺的灵活应用程度高。CN114420717ACN114420717A权利要求书1/1页1.一种LED芯片的固晶方法，其特征在于，包括：S10，将包括多个焊盘的阵列基板置于第一腔体内；S20，将胶黏剂涂布于所述焊盘上，所述胶黏剂包括胶水和分散于所述胶水中的导电粒子；S30，将所述LED芯片置于涂布有所述胶黏剂的所述焊盘上；S40，压缩所述胶黏剂以使得所述导电粒子之间在所述阵列基板的厚度方向上导通；S50，固化所述胶黏剂。2.根据权利要求1所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述S40包括：S401，将一过渡基板置于所述LED芯片上；S402，对所述第一腔体抽真空，并下压所述过渡基板至所述过渡基板与所述阵列基板形成密闭的第二腔体；S403，向所述第一腔体通入气体，在所述第二腔体的内外压差作用下所述导电粒子受到均匀压缩。3.根据权利要求2所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述过渡基板包括用于与所述LED芯片接触的基板本体和位于所述基板本体四侧的密封环，在所述S402中：下压所述基板本体，至所述基板本体、所述密封环与所述阵列基板一起形成所述第二腔体，其中，所述LED芯片和所述胶黏剂位于所述第二腔体内。4.根据权利要求3所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述基板本体设有至少一可打开或闭合的气孔，在所述S50之后，所述固晶方法还包括：打开所述气孔，移除所述过渡基板。5.根据权利要求2所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述导电粒子的压缩率为15％～30％。6.根据权利要求5所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，在所述导电粒子被压缩后，所述胶黏剂靠近所述焊盘一侧的所述导电粒子与所述焊盘接触，所述胶黏剂背离所述焊盘一侧的所述导电粒子与所述LED芯片接触。7.根据权利要求1所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述胶黏剂的固化温度为80℃～120℃。8.根据权利要求7所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，固化所述胶黏剂的方式包括热固化、光固化中的至少一种。9.根据权利要求1所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于，所述导电粒子与所述胶水之间的质量比值为1％～3％。10.一种LED面板，其特征在于，所述LED面板采用如权利要求1～9任一项所述的LED芯片的固晶方法所制备，所述LED面板包括：阵列基板，包括多个焊盘；胶黏层，设于所述焊盘上，所述胶黏层包括胶水和分散于所述胶水中的导电粒子；LED芯片，通过所述胶黏层与所述焊盘绑定连接。2CN114420717A说明书1/5页LED芯片的固晶方法及LED面板技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种LED芯片的固晶方法及LED面板。背景技术[0002]Mini/MircoLED(Mini/MircoLight‑EmittingDiode，微发光二极管)显示因其在对比度、寿命、能耗等方面具有优势，日益受到广泛关注。目前LED芯片转移到阵列基板上后，主要是采用锡膏回流焊的方式将芯片固定在基板上，回流焊温度通常大于200℃，高温处理对器件和阵列基板的材质的耐温性提出更苛刻要求，同时高温下热应力影响可能导致器件结合的可靠性较差。[0003]因此，现有的LED芯片的固晶工艺有待于改进。发明内容[0004]本发明实施例提供一种LED芯片的固晶方法及LED面板，以解决现