一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液、方法及产品.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114318429A(43)申请公布日2022.04.12(21)申请号202111640361.9(22)申请日2021.12.29(71)申请人浙江花园新能源股份有限公司地址322100浙江省金华市东阳市南马镇花园村(72)发明人罗辉马俊峰俞俊李婷婷葛啸鹏(74)专利代理机构浙江千克知识产权代理有限公司33246代理人田静(51)Int.Cl.C25D1/04(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液、方法及产品(57)摘要本发明公开一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，包括电解液和添加剂，其中，电解液为硫酸铜‑硫酸水溶液；电解液中铜离子浓度为20‑30g/L；硫酸含量为180‑190g/L；添加剂为天然多糖；添加剂浓度为2‑2000ppm；本发明还公开了一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化方法，包括以下步骤：步骤一、将电解液加热打入粗化电解槽；步骤二、生箔经酸洗后进入粗化电解槽；其中，箔作为阴极，钛阳极板作为阳极，电沉积制备纳米铜瘤；步骤三、固化和防氧处理得目标铜箔；本发明所得经纳米粗化的铜箔，具有低粗糙度和高的抗剥离强度，适合作为高频高速电解铜箔使用。CN114318429ACN114318429A权利要求书1/1页1.一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，其特征在于：包括电解液和添加剂，其中，电解液为硫酸铜‑硫酸水溶液；电解液中铜离子浓度为20‑30g/L；硫酸含量为180‑190g/L；添加剂为天然多糖；添加剂浓度为2‑2000ppm。2.如权利要求1所述的一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，其特征在于：添加剂为胡芦巴胶、瓜尔豆胶、长角豆胶和卡拉胶中的一种或多种混合。3.如权利要求2所述的一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，其特征在于：电解液中添加剂总含量为5‑50ppm。4.一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将权利要求1至3任一项所述的电解液加热打入粗化电解槽；步骤二、生箔经酸洗后进入粗化电解槽；其中，生箔作为阴极，钛阳极板作为阳极，电沉积制备纳米铜瘤；步骤三、固化和防氧处理得目标铜箔。5.如权利要求4所述的纳米粗化方法，其特征在于：步骤二中的电解液温度为25℃至35℃；电沉积的电流密度为25A/dm2‑30A/dm2。6.如权利要求4所述的纳米粗化方法，其特征在于：步骤二中的电沉积制备采用脉冲电镀电源。7.如权利要求4所述的纳米粗化方法，其特征在于：步骤一中毛箔的生产方法包括以下步骤：步骤一、低位槽中电解液中铜离子浓度为70g/L，硫酸浓度为85g/L，氯离子浓度为18mg/L；步骤二、电解液中配置添加剂；50℃下向电解液中加入羟乙基纤维素和明胶，搅拌均匀；在50℃保温下配置羟乙基纤维素和明胶,均匀搅拌持续加入电解槽中，保持添加剂的浓度恒定；步骤三、调节步骤二所得的电解液上液温度为40℃，调节上液流量为20m3/h；步骤四、对阴极辊进行在线抛光；步骤五、电沉积的电流密度60A/dm2，根据35μm厚度设定阴极辊转速。8.如权利要求7所述的纳米粗化方法，其特征在于：步骤二中保持电解液中羟乙基纤维素浓度为7mg/L，保持电解液中明胶浓度为5mg/L。9.如权利要求7所述的纳米粗化方法，其特征在于：明胶的分子量为20000‑30000。10.一种如权利要求4至9任一项所述的纳米粗化方法制得的表面具有均匀纳米铜瘤的铜箔。2CN114318429A说明书1/4页一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液、方法及产品技术领域[0001]本发明涉及铜箔粗化技术领域，特别是涉及一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液、方法及产品。背景技术[0002]在高速印刷电路板（PCB）和极低损耗和超低损耗的覆铜板（CCL）中，铜箔表面粗糙度是影响导体信号传送损失的一个重要因素，特别是在频率超过50GHz的范围信号传输时。高等级RTF铜箔可以提供改进的表面处理，较低的表面粗糙度，更好的树脂相容性和足够的剥离强度。HVLP1和HVLP2大多用于超低损耗覆铜板和一些有要求的极低损耗覆铜板。[0003]现有的铜箔表面粗化工艺一般采用低铜、高酸的粗化液，并进行多步直流电镀，由此方法处理后的铜箔，粗糙度高，铜瘤较大，铜粉脱落严重，信号传输易损耗，难以满足目前高频高速电解铜箔的需求。发明内容[0004]本发明的第一个目的在于提供一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，本发明有效控制粗化中铜晶粒的形核与生长方式，在铜箔表面生长具有纳米尺度的铜瘤。[0005]为解决此技术问题，本发明的技术方案是：一种超低轮廓电解铜箔的纳米粗化电解液，包括电解液和添加剂，其中，电解液为硫酸铜‑硫酸水溶液；电解液中铜