微电子装置测试以及相关装置、系统和方法.pdf
是立****92
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相关资料
微电子装置测试以及相关装置、系统和方法.pdf
本文中描述微电子装置测试以及相关方法、装置和系统。装置可包含存储器阵列,所述存储器阵列包含某一数目的行和某一数目的列。所述存储器装置可进一步包含耦合到所述存储器阵列的电路。所述电路可经配置以对所述数目的行中的每一行执行测试操作以检测:所述数目的行中的第一行的第一失效;以及与所述数目的行的行集合相关联的额外失效集合。所述电路还可经配置以确定所述行集合是否邻近于所述第一行。此外,响应于确定所述行集合邻近于所述第一行,所述电路可经配置以产生指示所述数目的列中的列的失效的信号。
微电子装置以及相关存储器装置和电子系统.pdf
本申请涉及微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、第一数字线、第二数字线和多路复用器装置。所述堆叠结构包括:存取线区,其包括导电结构的下部群组;以及选择栅极区,其上覆于所述存取线区且包括导电结构的上部群组。所述第一数字线耦合到存储器单元串,且所述第二数字线耦合到额外存储器单元串。所述第二数字线在第一方向上从所述第一数字线水平偏移且在第二方向上与所述第一数字线大体上水平对准。所述多路复用器装置耦合到页缓冲器装置、所述第一数字线和所述第二数字线。所述多路复用器装置包括与导电结构的所述上部群组
包含导电结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法.pdf
一种微电子装置包括:堆叠结构,其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构,所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构;存储器单元串,其竖直地延伸穿过所述堆叠结构,所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料;以及另一堆叠结构,其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层,所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。
形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统.pdf
本申请涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。所述形成微电子装置的方法包括:在源极结构上方形成堆叠结构;形成竖直延伸穿过堆叠结构的支柱结构;以及形成竖直延伸穿过堆叠结构的至少一个沟槽。至少一个沟槽限定包括相对阶梯式结构的至少一个体育场结构,相对阶梯式结构具有包括层的水平末端的梯级。额外沟槽可形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构,且至少一个其它沟槽可形成为竖直延伸穿过堆叠结构。至少一个其它沟槽限定包括额外相对阶梯式结构的至少一个额外体育场结构,额外相对阶梯式结构具有包括层的额外水平末端的额
微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法.pdf
一种微电子装置包括第一裸片,第一裸片包括存储器阵列区,存储器阵列区包括:堆叠结构,其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构;及存储器单元的竖直延伸串,其位于堆叠结构内。第一裸片进一步包括第一控制逻辑区,第一控制逻辑区包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置。微电子装置进一步包括第二裸片,第二裸片附接到第一裸片,第二裸片包括第二控制逻辑区,第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置,第二控制逻辑装置包含经配置以实现存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。