包含导电结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116018891A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202180049928.7K·A·里特尔(22)申请日2021.07.02(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(30)优先权数据责任公司1128716/943,8262020.07.30US专利代理师江泰維(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2023.01.18H10B43/35(2023.01)H10B43/20(2023.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2021/0402672021.07.02(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/026122EN2022.02.03(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人D·比林斯利M·J·金J·D·格林利Y·J·胡T·乔治A·拉伊S·古普塔权利要求书3页说明书18页附图17页(54)发明名称包含导电结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法(57)摘要一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。还描述了相关存储器装置、电子系统和方法。CN116018891ACN116018891A权利要求书1/3页1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构，所述层中的每一个分别包括导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构，所述存储器单元串包括竖直地延伸穿过所述堆叠结构的沟道材料；以及另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括其它导电结构和其它绝缘结构的交替层级的其它层，所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的导电性更大的导电性。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述另一堆叠结构的所述其它导电结构展现比所述堆叠结构的所述导电结构的粒度更大的粒度。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述层的数目大于所述另一堆叠结构的所述其它层的数目。4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述其它导电结构包括比所述导电结构更少的氟。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述另一堆叠结构包括竖直上覆于所述存储器单元串的导柱，每一导柱包括与所述存储器单元串的所述沟道材料电连通的另一沟道材料。6.根据权利要求5所述的微电子装置，其进一步包括所述另一沟道材料和所述其它导电结构之间的导电阻隔材料。7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中：所述其它导电结构包括钨；且所述导电阻隔材料包括氮化钛。8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电结构包括字线，所述其它导电结构包括所述存储器单元串的选择栅极结构。9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述其它导电结构直接邻近于所述其它绝缘结构。10.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括延伸穿过所述堆叠结构的替换栅极槽和延伸穿过所述另一堆叠结构的槽，延伸穿过所述另一堆叠结构的所述槽具有小于所述替换栅极槽的横向尺寸的横向尺寸。11.根据权利要求10所述的微电子装置，其中所述替换栅极槽的所述横向尺寸与所述导电结构的接近度大于与所述绝缘结构的接近度。12.一种存储器装置，其包括：堆叠结构，其包括交替的导电结构和绝缘结构的层；另一堆叠结构，其竖直上覆于所述堆叠结构且包括布置成其它层的其它导电结构和其它绝缘结构，所述其它层中的每一个包括所述其它导电结构中的一个和所述其它绝缘结构中的一个，所述其它导电结构展现比所述导电结构更大的粒度；导柱，其延伸穿过所述堆叠结构和所述另一堆叠结构，每一导柱包括：沟道材料，其延伸穿过所述堆叠结构和所述另一堆叠结构；以及存储器单元串，其包括所述沟道材料和所述堆叠结构内的至少一种介电材料；以及2CN116018891A权利要求书2/3页选择栅极槽，其延伸穿过所述另一堆叠结构。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述其它导电结构展现比所述导电结构更大的导电性。14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述导电结构和所述其它导电结构包括钨。15.根据权利要求12至14中任一权利要求所述的存储器装置，其进一步包括所述导电结构和所述绝缘结构之间的导电衬里材料，其中所述其它导电结构直接接触所述其它绝缘结构。16.根据权利要求12至14中任一权利要求所述的存储器装置，其进一步包