形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115768123A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211053737.0H10B41/35(2023.01)(22)申请日2022.08.31H10B41/27(2023.01)H10B41/10(2023.01)(30)优先权数据63/260,8172021.09.01US17/447,5052021.09.13US(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人R·K·V·曼特钠P·泰萨里欧(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师江泰維(51)Int.Cl.H10B43/35(2023.01)H10B43/27(2023.01)H10B43/10(2023.01)权利要求书3页说明书29页附图27页(54)发明名称形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统(57)摘要本申请涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。所述形成微电子装置的方法包括：在源极结构上方形成堆叠结构；形成竖直延伸穿过堆叠结构的支柱结构；以及形成竖直延伸穿过堆叠结构的至少一个沟槽。至少一个沟槽限定包括相对阶梯式结构的至少一个体育场结构，相对阶梯式结构具有包括层的水平末端的梯级。额外沟槽可形成为竖直延伸穿过所述堆叠结构，且至少一个其它沟槽可形成为竖直延伸穿过堆叠结构。至少一个其它沟槽限定包括额外相对阶梯式结构的至少一个额外体育场结构，额外相对阶梯式结构具有包括层的额外水平末端的额外梯级。介电材料可形成于至少一个沟槽、额外沟槽和至少一个其它沟槽内。CN115768123ACN115768123A权利要求书1/3页1.一种形成微电子装置的方法，其包括：在源极结构上方形成堆叠结构，所述堆叠结构包括布置成层的绝缘结构和额外绝缘结构，所述层中的每一者个别地包括所述绝缘结构中的一者和竖直邻近所述绝缘结构中的所述一者的所述额外绝缘结构中的一者；形成从所述堆叠结构的上表面竖直延伸穿过所述堆叠结构到达所述源极结构的上表面的支柱结构；形成竖直延伸穿过所述堆叠结构且在第一方向上水平延伸的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽限定包括相对阶梯式结构的至少一个体育场结构，所述相对阶梯式结构具有包括所述层的水平末端的梯级；形成竖直延伸穿过所述堆叠结构且在横向于所述第一方向的第二方向上水平延伸的额外沟槽；形成竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述第一方向上水平延伸的至少一个其它沟槽，所述至少一个其它沟槽限定包括额外相对阶梯式结构的至少一个额外体育场结构，所述额外相对阶梯式结构具有包括所述层的额外水平末端的额外梯级；以及在所述至少一个沟槽、所述额外沟槽和所述至少一个其它沟槽内形成介电材料。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括移除所述额外绝缘结构且形成穿过所述至少一个沟槽和所述额外沟槽的竖直相邻的绝缘结构之间的导电材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中形成大体上竖直延伸穿过所述堆叠结构的所述至少一个沟槽和所述额外沟槽包括形成从所述堆叠结构的竖直最上层的竖直最上边界到所述堆叠结构的竖直最下层的竖直最下边界的所述至少一个沟槽和所述额外沟槽中的每一者的至少一部分。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中形成所述至少一个沟槽和所述额外沟槽包括使用一或多种材料移除工艺结合一种或多种切断工艺选择性地移除所述绝缘结构和所述额外绝缘结构的部分。5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中形成所述至少一个沟槽包括形成在所述至少一个沟槽下且在所述第一方向上不断水平延伸的所述至少一个体育场结构。6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中形成所述额外沟槽包括：形成所述额外沟槽中的每一者的第一部分以展现在所述第一方向上具有第一横向宽度的大体上矩形水平横截面形状；以及形成所述额外沟槽中的每一者的第二部分以展现在所述第一方向上具有大于所述第一横向宽度的第二横向宽度的大体上矩形水平横截面形状。7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中形成所述至少一个沟槽和所述额外沟槽包括将所述至少一个沟槽和所述额外沟槽中的每一者限制为在存储器阵列区内或水平邻近所述存储器阵列区且在水平相邻所述存储器阵列区的阶梯区外部，所述阶梯区包括在其水平区内的所述至少一个额外沟槽和所述至少一个额外体育场结构。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括在所述至少一个额外体育场结构的所述额外梯级中的至少一些上形成导电接触结构，而不在所述体育场结构的所述梯级上形成所述导电接触结构。9.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括与在所述存储器阵列区内形成所述体育2CN115768123A权利要求书2/3页场结构大体上同时地在所述阶梯区内形成所述至少一个额外体育场结