微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115956293A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202180049876.3(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限(22)申请日2021.06.18责任公司11287专利代理师王龙(30)优先权数据16/932,0982020.07.17US(51)Int.Cl.H01L25/11(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2021/0380922021.06.18(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/015466EN2022.01.20(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州(72)发明人A·S·叶K·R·帕雷克合田晃权利要求书3页说明书24页附图11页(54)发明名称微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法(57)摘要一种微电子装置包括第一裸片，第一裸片包括存储器阵列区，存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于堆叠结构内。第一裸片进一步包括第一控制逻辑区，第一控制逻辑区包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置。微电子装置进一步包括第二裸片，第二裸片附接到第一裸片，第二裸片包括第二控制逻辑区，第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，第二控制逻辑装置包含经配置以实现存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。CN115956293ACN115956293A权利要求书1/3页1.一种微电子装置，其包括：第一裸片，其包括：存储器阵列区，其包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于所述堆叠结构内；第一控制逻辑区，其包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置；及第二裸片，其附接到所述第一裸片，所述第二裸片包括第二控制逻辑区，所述第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，所述第二控制逻辑装置包含经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第一裸片的半导电基底结构中与所述第一控制逻辑区相对的侧上的后段工艺(BEOL)结构。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括位于所述第二裸片的基底半导电结构中与所述第二控制逻辑装置相对的侧上的后段工艺(BEOL)结构。4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一裸片的水平区域与所述第二裸片的水平区域大致上相同。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一裸片的所述第一控制逻辑区被限制于所述第一裸片的所述存储器阵列区的水平边界内。6.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括第三裸片，所述第三裸片耦合到所述第二裸片，所述第三裸片包括第三控制逻辑区，所述第三控制逻辑区与所述第二控制逻辑区包括大致上相同类型的控制逻辑装置。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一控制逻辑装置进一步包括电压泵及分组开关。8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二控制逻辑装置进一步包括至少一个I/O装置、至少一个感测放大器，及数据路径。9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第二控制逻辑装置的操作电压低于所述第一控制逻辑装置的操作电压。10.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：形成第一微电子装置结构，所述第一微电子装置结构包括：第一控制逻辑区，其包括包含至少一个字线驱动器的第一控制逻辑装置；及存储器阵列区，其竖直邻近所述第一控制逻辑区，所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其延伸穿过所述堆叠结构；形成包括第二控制逻辑区的第二微电子装置结构，所述第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，所述第二控制逻辑装置包含至少一个页缓冲器；及将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构。11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述第一微电子装置结构附接到所述第二微电子装置结构包括将所述存储器阵列区定位于所述第一控制逻辑区与所述第二控制逻辑区之间。12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括将所述第一控制逻辑区形成为包括至2CN115956293A权利要求书2/3页少一个电压泵及至少一个分组开关。13.根据权利要求12所述的方法，其中将所述第一控制逻辑区形成为包括至少一个电压泵及至少一个分组开关包括：将所述至少一个电压泵及所述至少一个分组开关形成于所述第一微电子装置结构的水平阵列边界内；及将所述至少一个字线驱动器形成于所述第一微电子装置结构的所述水平阵列边界之外。14.根据权利要求