微电子装置以及相关存储器装置和电子系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115768114A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211045162.8H10B41/27(2023.01)(22)申请日2022.08.30H10B41/10(2023.01)H10B43/35(2006.01)(30)优先权数据H10B43/40(2006.01)63/260,8042021.09.01USH10B43/27(2023.01)17/450,7292021.10.13USH10B43/10(2023.01)(71)申请人美光科技公司G11C8/08(2023.01)地址美国爱达荷州G11C7/12(2023.01)(72)发明人E·E·于S·C·耶路瓦鲁福住嘉晃T·O·伊瓦萨基(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287专利代理师任超(51)Int.Cl.H10B41/35(2023.01)H10B41/41(2023.01)权利要求书4页说明书28页附图8页(54)发明名称微电子装置以及相关存储器装置和电子系统(57)摘要本申请涉及微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构、第一数字线、第二数字线和多路复用器装置。所述堆叠结构包括：存取线区，其包括导电结构的下部群组；以及选择栅极区，其上覆于所述存取线区且包括导电结构的上部群组。所述第一数字线耦合到存储器单元串，且所述第二数字线耦合到额外存储器单元串。所述第二数字线在第一方向上从所述第一数字线水平偏移且在第二方向上与所述第一数字线大体上水平对准。所述多路复用器装置耦合到页缓冲器装置、所述第一数字线和所述第二数字线。所述多路复用器装置包括与导电结构的所述上部群组电连通的晶体管。CN115768114ACN115768114A权利要求书1/4页1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包含导电结构和与所述导电结构竖直交替的绝缘结构，所述堆叠结构包括：存取线区，其包括所述导电结构的下部群组；以及选择栅极区，其上覆于所述存取线区且包括所述导电结构的上部群组；第一数字线，其竖直上覆于所述堆叠结构且耦合到竖直地延伸穿过所述堆叠结构的存储器单元串；第二数字线，其竖直上覆于所述堆叠结构且耦合到竖直地延伸穿过所述堆叠结构的额外存储器单元串，所述第二数字线在第一方向上从所述第一数字线水平偏移且在正交于所述第一方向的第二方向上与所述第一数字线大体上水平对准；以及多路复用器装置，其耦合到页缓冲器装置、所述第一数字线和所述第二数字线，所述多路复用器装置包括与所述堆叠结构的所述选择栅极区内的所述导电结构的所述上部群组电连通的晶体管。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的一个包括：柱结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构的所述选择栅极区内的所述导电结构的所述上部群组；以及第一柱接触结构，其竖直地位于所述柱结构上方且与所述柱结构电连通，所述第一柱接触结构耦合到所述第一数字线中的一个。3.根据权利要求2所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的所述一个进一步包括竖直地位于所述柱结构下方且与所述柱结构电连通的第二柱接触结构，所述第二柱接触结构耦合到位于所述堆叠结构下方且与所述页缓冲器装置中的一或多个电连通的一或多个导电布线结构。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中的一个其它多路复用器装置包括：额外柱结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构的所述选择栅极区内的所述导电结构的所述上部群组；额外第一柱接触结构，其竖直地位于所述额外柱结构上方且与所述额外柱结构电连通，所述额外第一柱接触结构耦合到在所述第二方向上与所述第一数字线中的所述一个水平对准的所述第二数字线中的一个；以及额外第二柱接触结构，其竖直地位于所述额外柱结构下方且与所述额外柱结构电连通，所述额外第二柱接触结构耦合到所述一或多个导电布线结构。5.根据权利要求4所述的微电子装置，其进一步包括：导电接触结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构的所述存取线区内的所述导电结构的所述下部群组，所述导电接触结构将所述多路复用器装置中的所述一个的所述第二柱接触结构耦合到所述一或多个导电布线结构；以及额外导电接触结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构的所述存取线区内的所述导电结构的所述下部群组，所述额外导电接触结构将所述多路复用器装置中的所述另一个多路复用器装置的所述额外第二柱接触结构耦合到所述一或多个导电布线结构。6.根据权利要求4和5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述多路复用器装置中2CN115768114A权利要求书2/4页的所述一个的所述柱结构和所述多路复用器装置中的所述一个其它多路复用器装置的所述额外柱结构各自个别地包括：沟道材料；栅极电介质材料，其水平插入于所述沟道材料与所述堆叠结构的所述